[实用新型]掩膜版及存储器

说明书

本实用新型提供了一种掩膜版及存储器，掩膜版包括沿着第一方向延伸的第一线形图案及沿着第二方向延伸的第二线形图案，由此在掩膜版之间的套准时，可以在第一方向和第二方向两个方向上进行套准，从而提高了套准精度。进一步的，掩膜版能够用来形成存储节点接触和电容器，即存储器制造中，两个相连接的结构能够用图案相同的掩膜版制造，由此可以进一步的提高前后两个步骤中掩膜版的套准精度，从而也提高了所形成的存储器的质量和可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种掩膜版及存储器。

背景技术

在半导体制造领域，光刻技术被用来将图案从掩膜版上转移到衬底上，其中的掩膜版(mask)，也称为光刻版、掩膜板或者光罩，是一种对于曝光光线具有透光性的平板，其上具有对于曝光光线具有遮光性的设计图案，可实现有选择的遮挡照射到衬底表面光刻胶层或者掩膜层上的光，并最终在衬底表面的光刻胶层或者掩膜层上形成相应的图案。

存储器制造是半导体制造领域中非常重要的一块。存储器中通常包括电容器及晶体管，其中，所述电容器用以存储数据，所述晶体管用以控制对所述电容器中存储的数据的存取。具体的，所述存储器的字线(word line)电连接至所述晶体管的栅极，所述字线控制所述晶体管的开关；并且，所述晶体管的源极电连接至位线结构(bit line)，以形成电流传输通路；同时，所述晶体管的漏极电连接至所述电容器，以达到数据存储或输出的目的。其中，所述晶体管的漏极通常通过存储节点接触实现与所述电容器的电连接，所述存储节点接触之间通过位于所述存储节点接触之间的节点隔离结构予以隔离。

在存储器的制造中，会多次用到光刻技术及掩膜版，例如在形成节点隔离结构和电容器时，便会用到光刻技术及相应的两张掩膜版，掩膜版之间存在不易套准的问题，从而降低了所形成的存储器的质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种掩膜版及存储器，以解决现有技术中掩膜版之间不易套准，从而降低了所形成的存储器的质量的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种掩膜版，所述掩膜版包括：

一基板，所述基板上具有多个第一线形图案和多个第二线形图案；其中，

所述第一线形图案的形状呈波浪线形并沿着第一方向延伸，所述第二线形图案沿着第二方向延伸，所述第二线形图案和所述第一线形图案的相交处构成交叉点，所述交叉点对准呈波浪线形的所述第一线形图案的峰点或谷点，并且对准于所述交叉点的所述峰点或所述谷点的形状呈弧形。

可选的，在所述的掩膜版中，呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点和所述谷点的形状呈弧形，同一条呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点在所述第一方向上呈一直线行排列且同一条呈波浪线形的所述第一线形图案的所述谷点在所述第一方向上呈另一直线行排列。

可选的，在所述的掩膜版中，多个呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点在与同一条所述第二线形图案相交的所述第二方向上对准呈一直线列排列，且多个呈波浪线形的所述第一线形图案的所述谷点在与同一条所述第二线形图案相交的所述第二方向上对准呈另一直线列排列。

可选的，在所述的掩膜版中，所述第二线形图案为直线形图案。

可选的，在所述的掩膜版中，所述掩膜版的图案用于定义出一存储器中的存储节点接触，其中，所述存储节点接触对应所述交叉点。

可选的，在所述的掩膜版中，所述掩膜版的图案还用于定义出所述存储器中与所述存储节点接触连接的电容器，其中，所述电容器对应所述交叉点。

本实用新型还提供一种存储器，所述存储器包括：