[实用新型]一种压电谐振器有效
| 申请号： | 201721512611.X | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN207339804U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 何军;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽云塔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H3/04;H03H3/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压电 谐振器 | ||
1.一种压电谐振器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底的上表面形成有一凹槽；
第一压电层，覆盖于所述衬底的上表面以及所述凹槽的开口，以使所述凹槽与所述第一压电层形成空腔；
第一电极和温度补偿层，设置在所述第一压电层远离所述衬底的一侧，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一电极在所述衬底上的投影位于所述凹槽所在的区域。
2.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一电极位于所述第一压电层远离所述衬底一侧的表面，所述温度补偿层覆盖所述第一电极。
3.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述温度补偿层位于所述第一压电层远离所述衬底一侧的表面，所述第一电极位于所述温度补偿层远离所述衬底的一侧。
4.根据权利要求3所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一电极位于所述温度补偿层远离所述衬底一侧的表面。
5.根据权利要求3所述的压电谐振器，其特征在于，还包括位于所述温度补偿层和所述第一电极之间的第二压电层，所述第一电极位于所述第二压电层远离所述衬底一侧的表面。
6.根据权利要求1-5任一项所述的压电谐振器，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极位于所述空腔中，且设置于所述第一压电层靠近所述衬底一侧的表面。
7.根据权利要求6所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一电极为叉指电极或面状电极，和/或所述第二电极为叉指电极或面状电极。
8.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述衬底的材料为硅。
9.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述温度补偿层的材料为正温度系数材料。
10.根据权利要求9所述的压电谐振器，其特征在于，所述温度补偿层的材料为SiO
11.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一电极的厚度为100-200nm。
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