[实用新型]一种压电谐振器

说明书

本实用新型实施例公开了一种压电谐振器。其中，压电谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面形成有一凹槽；第一压电层，覆盖于所述衬底的上表面以及所述凹槽的开口，以使所述凹槽与所述第一压电层形成空腔；第一电极和温度补偿层，设置在所述第一压电层远离所述衬底的一侧，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一电极在所述衬底上的投影位于所述凹槽所在的区域。本实用新型实施例通过在衬底的上表面形成有一凹槽，使凹槽与第一压电层形成空腔，可以有效避免了声波能量泄漏到衬底中，降低了声波能量在衬底中的损耗，可得到高Q值的压电谐振器；并且设置的温度补偿层的投影位于空腔的区域内，可以有效改善温度补偿效率。

技术领域

本实用新型实施例涉及声波谐振器技术领域，尤其涉及一种压电谐振器。

背景技术

表面声波器件(如：声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave，SAW))是将电信号转换为表面波并进行信号处理的电路元件，可以作为滤波器、谐振器等被广泛使用。其中品质因数(Q)和频率温度系数(Temperature Coefficient of Frequency，TCF)使表面声波器件在压电谐振器等电子元件的研究和发展中有重要意义。

现有技术方案中，图1是现有技术中的一种压电谐振器的剖面结构示意图，如图1所示，压电谐振器(如SAW谐振器)包括衬底1，位于衬底1上表面的高声速层2(氮化铝材料)，位于高声速层2远离衬底1一侧表面的低声速层3(二氧化硅材料)，位于低声速层3远离高声速层2一侧表面的压电层4(钽酸锂材料)，以及位于压电层4远离低声速层3一侧表面的电极5。由于低声速层3和高声速层2之间存在声失配，使得在低声速层3和高声速层2的界面时声波发生反射，因此可以减少声波能量的泄漏。但是此种结构容易使纵向声波通过高声速层2泄漏进入衬底1，增加声波能量在衬底1中的损耗，导致所制备的压电谐振器的Q值下降。

实用新型内容

本实用新型实施例提供的一种压电谐振器，有效避免了声波能量泄漏到衬底中，降低了声波能量在衬底中的损耗，可得到高Q值的压电谐振器，并且使得到的压电谐振器具有较低的频率温度系数。

本实用新型实施例提供了一种压电谐振器，其结构包括：

衬底，所述衬底的上表面形成有一凹槽；

第一压电层，覆盖于所述衬底的上表面以及所述凹槽的开口，以使所述凹槽与所述第一压电层形成空腔；

第一电极和温度补偿层，设置在所述第一压电层远离所述衬底的一侧，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一电极在所述衬底上的投影位于所述凹槽所在的区域。

可选地，所述第一电极位于所述第一压电层远离所述衬底一侧的表面，所述温度补偿层覆盖所述第一电极。

可选地，所述温度补偿层位于所述第一压电层远离所述衬底一侧的表面，所述第一电极位于所述温度补偿层远离所述衬底的一侧。

可选地，所述第一电极位于所述温度补偿层远离所述衬底一侧的表面。

可选地，压电谐振器还包括位于所述温度补偿层和所述第一电极之间的第二压电层，所述第一电极位于所述第二压电层远离所述衬底一侧的表面。

可选地，压电谐振器还包括第二电极，所述第二电极位于所述空腔中，且设置于所述第一压电层靠近所述衬底一侧的表面。

可选地，所述第一电极为叉指电极或面状电极，和/或所述第二电极为叉指电极或面状电极。

可选地，所述衬底的材料为硅。

可选地，所述温度补偿层的材料为正温度系数材料。

可选地，所述温度补偿层的材料为SiO2。

可选地，所述第一电极的厚度为100-200nm。