[实用新型]磁控装置及物理气相沉积设备有效

专利信息
申请号: 201721520727.8 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN207727138U 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 袁园;林宗贤 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;董琳
地址: 223300 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 磁控元件 磁控装置 物理气相沉积设备 耐腐蚀涂层 容纳腔 过滤器 本实用新型 容纳腔内壁 被冷却液 腐蚀 消耗 覆盖
【说明书】:

实用新型涉及一种磁控装置和物理气相沉积设备,所述磁控装置包括:容纳腔;位于所述容纳腔内的磁控元件;耐腐蚀涂层,覆盖所述磁控元件表面。这种耐腐蚀涂层能够防止磁控元件和容纳腔内壁被冷却液腐蚀,从而减少杂质的产生,降低过滤器的消耗。

技术领域

本实用新型涉及物理气相沉积,尤其涉及一种磁控装置及一种物理气相沉积设备。

背景技术

在半导体处理工艺中,物理气相沉积(PVD)是用于将材料沉积至在基板上面的常规处理工艺。常规物理气相沉积处理包括利用等离子体离子轰击包括源材料的靶材,使得从所述靶材溅射出源材料经由负电压或基板上形成的偏压,溅射出的源材料可朝基板加速,而将源材料沉积在基板上面。在物理气相沉积处理期间,在靠近靶材背面处具有一磁控装置,包括一容纳腔以及位于容纳腔内的磁控元件,产生磁力线以提升等离子体的均匀性。

在磁控装置工作过程中,需要在所述容纳腔内通入冷却液,通常为等离子体水,使的磁控元件浸泡于所述冷却液内,以降低所述磁控装置的温度。由于所述磁控装置的容纳腔内壁以及磁控元件长期浸泡于等离子体水中,容易受到腐蚀而产生生锈等问题,导致去离子体水中杂质增多,增加了冷却液循环处理过程中的过滤器的负担和消耗,影响物理气相沉积的可靠性,导致设备维护成本提高。

因此,为了进一步提高磁控装置的可靠性并降低设备维护成本,如何避免磁控装置被冷却液腐蚀是亟需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种磁控装置和具有该磁控装置的物理气相沉积设备,避免磁控装置被冷却液腐蚀,提高磁控装置的可靠性并降低维护成本。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种磁控装置,包括:容纳腔;位于所述容纳腔内的磁控元件;耐腐蚀涂层,覆盖所述磁控元件表面。

可选的,所述耐腐蚀涂层还覆盖所述容纳腔内壁表面。

可选的,所述耐腐蚀涂层为单层或多层堆叠结构。

可选的,所述耐腐蚀涂层的厚度大于0.1mm。

可选的,所述耐腐蚀涂层具有疏水且疏油性表面。

可选的,所述耐腐蚀涂层表面的摩擦系数小于0.2。

可选的,所述耐腐蚀涂层包括聚四氟乙烯层或全氟乙烯丙烯共聚物层中的一种或两种。

可选的,所述磁控元件包括:磁石、用于控制所述磁石旋转的旋转组件。

本实用新型的磁控装置的容纳腔的内壁表面以及磁控元件表面具有耐腐蚀涂层,从而使容纳腔的内壁表面和磁控元件表面不易被俯视,从而避免冷却液的阻值增高,减小过滤器的消耗,且该耐腐蚀涂层不会干扰磁控元件的磁场,保证磁控装置依然正常工作。

附图说明

图1为本实用新型一具体实施方式的磁控装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的磁控装置的具体实施方式做详细说明。

请参考图1,为本实用新型一具体实施方式的物理气相沉积装置的结构示意图。

一种磁控装置,包括:容纳腔101;位于所述容纳腔101内的磁控元件102;耐腐蚀涂层103,覆盖所述磁控元件102表面。

磁控装置在工作时,容纳腔101内会通入冷却液,例如去离子水等,位于容纳腔101内的磁控元件102被浸泡在冷却液中,长时间浸泡容易导致磁控元件102冷却液腐蚀,从而生锈产生杂质,耐腐蚀涂层103覆盖磁控元件102所有与冷却液接触的裸露表面,能够有效避免浸泡在冷却液内的磁控元件102表面被腐蚀,从而延长磁控元件102的生存寿命,且减少容纳腔101内杂质的产生。

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