[实用新型]一种残余化学气体的处理装置

说明书

本实用新型公开了一种残余化学气体的处理装置，所述处理装置包括：壳体，所述壳体的一端设置有进气口，所述壳体的另一端设置有出气口，所述进气口与残余化学气体的进气管连通，所述出气口与排气管连通；弯曲的流体通道，所述流体通道设置在所述壳体内，并沿所述壳体的轴线方向延伸，且所述流体通道的两端分别与所述进气口和所述出气口连通；和加热部件，所述加热部件用于加热所述弯曲的流体通道。采用本实用新型的残余化学气体的处理装置可以有效除去化学工艺中的残余化学气体尾气，减少了尾气对后续设备的污染、腐蚀、堵塞等情况，而且降低了尾气处理成本。

技术领域

本实用新型涉及但不限于一种残余化学气体的处理装置。

背景技术

目前光伏产业的发展，关键取决于降低太阳能电池生产成本的潜力。铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳能电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求的场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙等，在现代化高层建筑等领域有很大市场。

铜铟镓硒薄膜太阳电池的薄膜制备工艺有化学气相沉积法(Chemical vapordeposition，简称CVD)。化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在被加热的基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。

化学气相沉积法包括低压化学气相沉积法(Low Pressure Chemical VaporDeposition，LPCVD)和等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)。LPCVD是在27～270Pa的反应压力下利用气态物质通过化学反应在基片表面形成固态薄膜的一种成膜技术，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积。PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，使化学反应能在较低的温度下进行，在基片上沉积出所期望的薄膜。

PECVD的一般工艺流程为：装片——进片——对反应室抽真空——检查设备是否正常——吹N2吹扫并加热——再抽真空——保持压力稳定后开始沉积——关闭所有工艺气体，重新抽真空——回冲N2到常压——出炉。

化学气相沉积工艺需要在反应腔室中通入制备膜层需要的多种化学气体，当气体遇到被加热的基板时发生化学反应，进而将反应物沉积在基板表面。整个工艺过程中，通过真空泵将腔室内部的压力稳定在一定的范围内，此时部分化学气体势必会被真空泵抽走。真空泵工作时会发热，当被抽入真空泵的气体经过热源时发生化学反应，反应物附着在泵体内部，造成污染、腐蚀、堵塞，如不及时维护会造成损坏。

实用新型内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本实用新型提供了一种残余化学气体的处理装置，所述处理装置能够有效除去化学气相沉积工艺中未反应的化学气体，从而减少对真空泵的污染、腐蚀、堵塞等情况，而且所述处理装置结构简单、易清洗。

具体地，本实用新型提供了一种残余化学气体的处理装置。

本实用新型所提供的残余化学气体的处理装置，包括：

壳体，所述壳体的一端设置有进气口，所述壳体的另一端设置有出气口，所述进气口设置为与残余化学气体的进气管连通，所述出气口设置为与排气管连通；

弯曲的流体通道，所述流体通道设置在所述壳体内，并沿所述壳体的轴线方向延伸，且所述流体通道的两端分别与所述进气口和所述出气口连通；和