[实用新型]冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备

说明书

本实用新型提供一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备。冷阱装置可以用于对从反应腔室排出的尾气进行预处理。冷阱装置包括罐体及位于罐体上的冷却管路，罐体包括罐体上部的冷却区，其冷却区顶部设置有进气口且进气口与反应腔室相连接；罐体还包括位于罐体下部的沉淀区，沉淀区侧壁设置有排气口和排气口。采用本实用新型的冷阱装置能避免粉尘沉积在抽气装置上造成抽气装置停机，减少抽气装置和尾气处理装置的废气处理量且延长设备清洗保养周期以降低生产成本；尾气处理系统能快速高效地处理各种废气以降低对环境的危害，且结构简单，成本低廉；采用本实用新型的半导体生产设备，能减少保养频率，有效降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备。

背景技术

化学气相沉积工艺是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。由于其具有能在大大低于成膜材质的熔点或分解温度的沉积温度下制造耐熔金属和各种碳化物、氮化物、硼化物、硅化物和氧化物薄膜且制备的薄膜均匀等优点，化学气相沉积工艺越来越广泛地用于半导体芯片制造、液晶面板制造以及太阳能电池制造等行业中，但化学气相沉积工艺中用到的反应源以及反应后的余气可能存在易燃、易爆和/或有毒的危害性，且反应生成的副产物如果处理不当也容易造成粉尘污染，因此对化学气相沉积工艺中产生的废气进行无害化处理以防止环境污染非常重要。现有的化学气相沉积工艺中，普遍用干泵等抽气装置直接将废气从反应腔室抽出后送入尾气处理装置(GAS SCRUBER)中做燃烧和清洗处理。但这种方式存在诸多问题，比如，由于沉积工艺中用到的气体量很大，绝大部分气体未经反应即被排出，因此抽气装置的工作量非常大，而且排出的废气以及其中含有的反应副产物中很大一部分只在高温下为气态，往往在冷却到室温后会变为固态或液态，这些副产物抽入抽气装置后很可能沉积在抽气装置内造成抽气装置的堵塞或腐蚀，甚至导致抽气装置的报废，更严重的后果是，如果因堵塞造成抽气装置停机，废气可能倒流回反应腔室，造成产品和反应腔室污染乃至造成巨大的经济损失。此外，经抽气装置抽出的大量废气送到尾气处理装置中，也对尾气处理装置的处理能力提出极大挑战。因此，在半导体芯片制造厂和液晶面板工厂里，对抽气装置和尾气处理装置必须经常进行清洗和保养，由于这些设备及其配件昂贵，导致生产成本居高不下。因此，找到更经济有效的尾气处理方法以延长抽气装置和尾气处理装置的清洗和保养周期，降低设备的损耗以降低生产成本显得极为重要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备，用于解决现有技术中因废气排放量太大且废气中含有的粉尘导致抽气装置堵塞以及导致抽气装置和尾气处理装置的清洗、保养成本上升等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种冷阱装置，所述冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，所述罐体具有内壁及外壁且所述罐体包括：

冷却区，位于所述罐体的上部，所述冷却区顶部设置有进气口；

沉淀区，位于所述罐体的下部，与所述冷却区相连通，所述沉淀区侧壁设置有排气口。

优选地，所述冷阱装置的材质包括不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金。

优选地，所述冷却管路位于所述内壁和所述外壁之间，且所述外壁上设有与所述冷却管路相连通的进口及出口。

优选地，所述冷却区还包括冷却板，所述冷却板设置于所述冷却区的内壁上，且所述冷却板的表面与所述罐体的底面相平行。

在另一优选方案中，所述冷却区还包括冷却板，所述冷却板以1°～89°的角度向下倾斜设置于所述罐体的所述冷却区的内壁上。

优选地，所述冷却板包括相对的固定端及自由端，所述冷却板的固定端与所述冷却区的内壁相连接。