[实用新型]砷化镓激光巴条有效
| 申请号： | 201721537440.6 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN207588214U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 董海亮;米洪龙;梁建;许并社;关永莉;贾志刚;王琳 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 041600 山西省临汾*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅薄膜 顶层 蒸镀 高掺杂电极接触层 退火 本实用新型 硅钝化膜 激光巴条 波导层 介质膜 砷化镓 外延片 限制层 衬底 制备 半导体激光器 衬底上表面 左右两侧 激光器 高反膜 源区层 增透膜 沟道 刻蚀 生长 | ||
1.一种砷化镓激光巴条，其特征在于，所述砷化镓激光巴条包括：
外延片，所述外延片由下至上依次包括GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-AlGaAs限制层、n-AlGaAs波导层、有源区层、p-AlGaAs波导层、p-AlGaAs限制层、p-GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层；
多个从p-GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道，所述沟道的两侧及底面镀有SiO2钝化层；
设置于p-GaAs顶层上面的SiO2介质膜；
制备于p型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上面的p电极层和制备于GaAs衬底背面的n电极层；
蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，所述厚度为的硅薄膜为在温度为100～150℃条件下，以的生长速度蒸镀后，对该厚度为的硅薄膜循环退火3-5次形成的，循环退火时低温为100～150℃、高温为400～500℃；
蒸镀于厚度为的硅薄膜外侧的厚度为的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。
2.根据权利要求1所述的砷化镓激光巴条，其特征在于，所述p-GaAs顶层的厚度为
3.根据权利要求1所述的砷化镓激光巴条，其特征在于，所述沟道的深度为
4.根据权利要求1所述的砷化镓激光巴条，其特征在于，所述p电极层的厚度为
5.根据权利要求1所述的砷化镓激光巴条，其特征在于，所述n电极层的厚度为
6.根据权利要求1或4所述的砷化镓激光巴条，其特征在于，所述p-GaAs顶层的厚度为
7.根据权利要求1所述的砷化镓激光巴条，其特征在于，所述p电极层的材料为Ti/Pt/Au；所述n电极层的材料为Au/Ge/Ni和Au。
8.根据权利要求1所述的砷化镓激光巴条，其特征在于，所述高反膜的材料为Si/SiO2或Si/Al2O3；所述高反膜的周期数为2～4个，透射率为为94％～98％。
9.根据权利要求1所述的砷化镓激光巴条，其特征在于，所述增透膜的材料为Si/ZnSe或Si/SiO2；所述增透膜的周期数1～2个，透射率为90％～95％。
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