[实用新型]砷化镓激光巴条

说明书

本实用新型提供一种砷化镓激光巴条，属于半导体激光器领域。包括：由下至上依次包括GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs波导层、有源区层、p‑AlGaAs波导层、p‑AlGaAs限制层、p‑GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层的外延片；多个从p‑GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道；设于p‑GaAs顶层上的SiO₂介质膜；制备于p型高掺杂电极接触层和SiO₂介质膜上的p电极层和GaAs衬底背面的n电极层；蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，硅薄膜为在温度为100～150℃条件下以的生长速度蒸镀后，对硅薄膜循环退火3‑5次形成的，循环退火时低温为100～150℃高温为400～500℃；蒸镀于硅薄膜外侧的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。本实用新型提高了激光器的抗光学灾变能力。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种砷化镓激光巴条。

背景技术

砷化镓激光器具有近红外高重复频率和峰值功率较高的特点，还具有体积小、耗能少和寿命长等优点，因此，砷化镓激光器是很常用的半导体激光器。然而，由于砷化镓激光芯片的外延结构材料中含有的Al元素，因此，在砷化镓激光芯片制备过程中解理成巴(bar)条后，巴条的腔面易发生氧化，进而容易导致砷化镓激光芯片的抗光学灾变能力下降，严重影响了砷化镓激光器的输出功率和寿命。

为了避免上述问题，目前规模化生产中常用的方法是在高真空环境下，采用分子束外延的方法在解理的巴条腔面上蒸镀硅薄膜，以起到钝化砷化镓激光巴条腔面的作用。

然而，目前采用分子束外延的方法在解理的巴条腔面上蒸镀硅薄膜的方法，仅仅解决了激光芯片制作过程中腔面裸露的氧化问题，并未使硅粒子与巴条腔面的未饱和化学键充分结合，并且硅薄膜的致密性也较差。另外，因为硅与砷化镓的晶格失配度虽然仅有4.1％，但热失配度高达59％，在砷化镓激光器工作过程中会产生大量的热而容易导致缺陷的产生，因此，降低了砷化镓激光芯片的抗光学灾变的能力，影响了砷化镓激光芯片的输出功率及使用寿命。

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型提供一种砷化镓激光巴条。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种砷化镓激光巴条，所述砷化镓激光巴条包括：

外延片，所述外延片由下至上依次包括GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-AlGaAs限制层、n-AlGaAs波导层、有源区层、p-AlGaAs波导层、p-AlGaAs限制层、p-GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层；

多个从p-GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道，所述沟道的两侧及底面镀有SiO₂钝化层；

设置于p-GaAs顶层上面的SiO₂介质膜；

制备于p型高掺杂电极接触层和SiO₂介质膜上面的p电极层和制备于GaAs衬底背面的n电极层；

蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，所述厚度为的硅薄膜为在温度为100～150℃条件下，以的生长速度蒸镀后，对该厚度为的硅薄膜循环退火3-5次形成的，循环退火时低温为100～150℃、高温为400～500℃；

蒸镀于厚度为的硅薄膜外侧的厚度为的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。

可选地，所述p-GaAs顶层的厚度为

可选地，所述沟道的深度为

可选地，所述p电极层的厚度为

可选地，所述n电极层的厚度为

可选地，所述p-GaAs顶层的厚度为