[实用新型]一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置

说明书

本实用新型涉及玻璃生产技术领域，具体涉及一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，包括用以支撑待测柱状磁缸的支架、可滑动的设置于所述支架上的安装座，所述安装座设于所述待测柱状磁缸的正下方且其运动方向平行所述待测柱状磁缸的轴心线方向，所述安装座至少包括与所述待测柱状磁缸的外侧周部相配合的圆弧状主体部，所述主体部上沿其弧形延伸方向间隔设有多个用以安装高斯仪探针的安装孔，所述安装孔沿所述主体部的径向延伸，本实用新型的磁场测量装置通过多点位测量待测磁缸的磁感应强度，可以准确的反映磁控溅射区域的总磁感应强度，从而可以根据待镀设膜层的厚度等参数需要更加准确的分析和调整磁场的分布。

技术领域

本实用新型涉及玻璃生产技术领域，具体涉及一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置。

背景技术

在玻璃镀膜生产中磁控溅射镀膜采用的阴极靶材主要有两种，一种是旋转靶，采用的是柱状磁缸；另一种是平面靶，采用的是平面磁缸。溅射膜层的厚度均匀性，主要与磁场的均匀性相关，因此需要测量磁缸磁场的均匀性，以便分析调节。

目前测量柱状磁缸磁场均匀性的方法为通过高斯仪测量磁缸正下方一条直线的磁感应强度，通过一条直线上的磁感应强度，认为代表此根磁缸的磁场分布情况。但磁缸正下方位置并不是磁控溅射的溅射区域，并且磁控溅射的区域是一条非绝对直线的条形区域，并不是一条直线。磁控溅射旋转靶溅射采用的柱状磁缸，单根旋转靶的主要溅射区域在磁缸正下方离磁缸中心约±20°左右，故现有技术测得的柱状磁缸的磁感应强度并不能准确反映其磁场分布情况。

发明内容

本实用新型提供一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，通过设置多点位测量点从而准确的测量柱状磁缸的磁场分布。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，包括用以支撑待测柱状磁缸的支架、沿所述待测柱状磁缸的轴向滑动设置的安装座，所述安装座设于所述待测柱状磁缸的正下方，所述安装座至少包括与所述待测柱状磁缸的周部相配合的圆弧状主体部，所述主体部上沿其周向间隔设有多个用以安装高斯仪探针的安装孔，所述安装孔沿所述主体部的径向延伸。

进一步的，所述安装座的内壁与所述待测柱状磁缸的外壁相贴触或具有间隙。

进一步的，所述主体部的圆弧角度为10°～90°。

进一步的，所述主体部的圆弧角度为90°。

进一步的，所述安装孔均匀间隔设置于所述主体部上，每相邻的两个所述安装孔之间的夹角为5°～10°。

进一步的，所述安装座还包括设于所述主体部下方用以支撑所述主体部的支撑底座。

进一步的，所述支架包括设于所述待测柱状磁缸正下方的滑轨，所述安装座的所述支撑底座可滑动的设于所述滑轨上。

进一步的，所述支架还包括用以固定所述待测柱状磁缸两端部的两固定端头，所述待测柱状磁缸架设于两所述固定端头之间。

进一步的，所述安装孔为通孔。

采用以上技术方案后，本实用新型与现有技术相比具有如下优点：本实用新型的磁场测量装置通过设置多点位测量点从而可以更加准确的测量待测柱状磁缸的磁场分布，反映磁控溅射区域的总磁感应强度，为后续磁控溅射镀膜生产提供磁场分析和调整的依据。

附图说明

附图1为本实用新型的磁场测量装置的轴测图；

附图2为本实用新型的磁场测量装置的主视图；

附图3为本实用新型的磁场测量装置的左视图；

附图4为本实用新型中安装座的轴测图。