[实用新型]太阳能电池硅片承载装置以及传输系统有效
申请号: | 201721539658.5 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN207425825U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 袁世成;张风港;杨肸曦 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;洪余节 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池硅片 掩膜 容纳槽 辅助件 托盘 承载装置 隔空 遮挡 传输系统 盖合 装载 本实用新型 台阶状分布 传输 周向设置 镀膜 破碎 相通 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池硅片承载装置以及传输系统,其中前者包括托盘和掩膜辅助件,托盘的一侧表面上设置有隔空槽和容纳槽,隔空槽和容纳槽成台阶状分布,且隔空槽位于容纳槽的下方;掩膜辅助件盖合于容纳槽上,掩膜辅助件上开设有掩膜孔,掩膜孔与容纳槽相通,且掩膜孔的周向设置有遮挡部,遮挡部遮挡容纳槽的边沿。使用时,将太阳能电池硅片装载于托盘的容纳槽中,并使用掩膜辅助件盖合至托盘上,而掩膜辅助件上设置有掩膜孔。传输太阳能电池硅片时,将太阳能电池硅片装载于太阳能电池硅片承载装置中,可以使太阳能电池硅片在传输时受到保护,避免了太阳能电池硅片破碎的问题发生,另外,掩膜孔还可以辅助太阳能电池硅片镀膜。
技术领域
本实用新型涉及工件的装载技术领域,尤其涉及一种太阳能电池硅片承载装置以及传输系统。
背景技术
太阳能电池,是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件,目前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅(包括单晶硅、多晶硅)、非晶/单晶异质结(HIT)、非晶硅薄膜、碲化镉(CdTe)薄膜及铜铟硒 (CIS)薄膜太阳能电池等。其中晶体硅太阳能电池仍占主流,其光电转化效率已达25%,其计算的转换效率的极限值为31%。
晶体硅太阳能电池的生产制造过程中,硅片是最主要的原材料,而最核心的工艺是通过PVD、PECVD等工艺在硅片的表面沉积一层或多层固态薄膜。由于硅片尺寸较小(约156×156×0.18mm)且易碎,因此,加工太阳能电池的过程中,需要保证硅片的传输稳定性和定位可靠性。
目前,硅片的传输采用传输带直接传送,很容易导致硅片破碎,从而造成不可挽回的损失。
另外,太阳能电池在镀膜过程一般为在硅片或衬底上沉积多层膜层,而在镀膜的过程中,膜层也会沉积在膜层的侧面,为了避免后续各膜层之间的产生漏电现象,需要对镀膜完成后的电池片的侧面进行绝缘处理。
目前,对电池片的侧面进行绝缘处理的方式为利用打磨工具将电池片侧面的膜层打磨掉,然而该打磨过程也容易造成电池片的破损,降低生产效率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种太阳能电池硅片承载装置以及传输系统,以解决上述问题,使用承载装置将太阳能电池硅片装载,以使太阳能电池硅片传输时受到保护,并且在镀膜过程中避免太阳能电池的侧面镀膜,进而避免太阳能电池硅片破碎。
本实用新型提供的太阳能电池硅片承载装置,包括:
托盘,所述托盘的一侧表面上设置有隔空槽和容纳槽,所述隔空槽和所述容纳槽成台阶状分布,且所述隔空槽位于所述容纳槽的下方;
掩膜辅助件,所述掩膜辅助件盖合于所述容纳槽上,所述掩膜辅助件上开设有掩膜孔,所述掩膜孔与所述容纳槽相通,且所述掩膜孔的周向设置有遮挡部,所述遮挡部遮挡所述容纳槽的边沿。如上所述的太阳能电池硅片承载装置,其中,优选的是,还包括用于承载所述托盘的底板,所述底板至少能承载两个所述托盘。
如上所述的太阳能电池硅片承载装置,其中,优选的是,所述托盘固定连接于所述底板的上表面上。
如上所述的太阳能电池硅片承载装置,其中,优选的是,所述底板上设置有识别码。
如上所述的太阳能电池硅片承载装置,其中,优选的是,所述托盘通过定位销与底板连接。
如上所述的太阳能电池硅片承载装置,其中,优选的是,底板和所述托盘一体成型。
如上所述的太阳能电池硅片承载装置,其中,优选的是,所述容纳槽和所述掩膜孔的形状均为方形,所述容纳槽的边长比所述掩膜孔靠近所述容纳槽一端的边长大设定值;
所述掩膜辅助件盖合于所述容纳槽上时,所述容纳槽的横向中心轴和纵向中心轴分别与所述掩膜孔的横向中心轴和纵向中心轴相重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造