[实用新型]霍尔元件

权利要求书

1.一种霍尔元件，其特征在于，

该霍尔元件包括：

基板；

磁感应部，其形成于所述基板上；以及

四个接触部，其形成于所述磁感应部上，

被所述四个接触部包围起来的区域全部被包含在所述磁感应部内，

所述磁感应部的平面形状在至少一个角具有圆角。

2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，

该霍尔元件还包括：

绝缘膜，其形成于所述磁感应部上；以及

四个电极部，其形成于所述绝缘膜上，

所述四个接触部贯穿所述绝缘膜，将所述电极部和所述磁感应部电连接起来。

3.根据权利要求2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述四个电极部配置为俯视时位于所述基板的四角。

4.根据权利要求2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述四个电极部下的有效区域的面积相对于所述磁感应部的有效区域的总面积的比例为40％以上且99％以下。

5.根据权利要求2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述绝缘膜的厚度为100nm以上。

6.根据权利要求2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述电极部具有在俯视时向所述磁感应部的中央区域侧延伸出的延伸部。

7.根据权利要求2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述霍尔元件作为所述电极部具有输入用电极部和输出用电极部，其中，所述输入用电极部用于使电流流向所述磁感应部，所述输出用电极部用于检测所述磁感应部的霍尔电压，

所述输入用电极部之间的距离和所述输出用电极部之间的距离分别为1μm以上且40μm以下。

8.根据权利要求2所述的霍尔元件，其特征在于，

在包含所述磁感应部的中心和所述电极部与所述磁感应部接触的区域的中心在内的剖面中，所述接触部的至少一部分延伸到所述绝缘膜的下部。

9.根据权利要求8所述的霍尔元件，其特征在于，

所述接触部的至少一部分自所述接触部的侧面与所述磁感应部的最外表面接触的点向所述磁感应部的中心侧或深度侧延伸50nm以上。

10.根据权利要求8所述的霍尔元件，其特征在于，

所述接触部的至少一部分自所述接触部的侧面与所述磁感应部的最外表面接触的点向所述磁感应部的中心侧或深度侧延伸所述绝缘膜的厚度的1/4以上。

11.根据权利要求1或2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述磁感应部以台阶状形成在所述基板上。

12.根据权利要求1或2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述磁感应部具有矩形的平面形状。

13.根据权利要求1或2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述接触部的平面形状的、与所述磁感应部的外周侧相对应的外侧区域的至少一部分具有圆角。

14.根据权利要求1或2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述四个接触部的各接触部的面积相对于所述磁感应部的面积为0.1％以上且20％以下。

15.根据权利要求1或2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述基板是电阻率为1.0×10⁵Ω·cm以上且1.0×10⁹Ω·cm以下的GaAs基板。

16.根据权利要求1或2所述的霍尔元件，其特征在于，

所述磁感应部由化合物半导体形成。