[实用新型]一种硅片冷却装置有效
| 申请号： | 201721542815.8 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN207676883U | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 杨健;党继东 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 冷却装置 进气口 底板 排气口 连通 太阳能电池技术 太阳能电池片 氮气 本实用新型 抽气装置 进气装置 气体流动 热量传递 生产效率 进气管 排气管 石英舟 侧壁 冷却 承载 | ||
1.一种硅片冷却装置，其特征在于，包括箱体(1)，所述箱体(1)内放置承载硅片的石英舟，所述箱体(1)的顶板和底板均设置有多个进气口(11)，所述进气口(11)通过进气管与进气装置连通，所述箱体(1)相对的两个侧壁上均设置有排气口(12)，所述排气口(12)通过排气管与抽气装置连通。
2.如权利要求1所述的硅片冷却装置，其特征在于，所述箱体(1)的顶板和底板均设置有腔体(13)，所述进气口(11)设置于所述顶板和所述底板的内层，所述腔体(13)分别与所述进气管和所述进气口(11)连通。
3.如权利要求1所述的硅片冷却装置，其特征在于，所述顶板上的进气口(11)与所述底板上的进气口(11)交错设置。
4.如权利要求1所述的硅片冷却装置，其特征在于，所述排气口(12)位于所述箱体(1)的侧壁的中部。
5.如权利要求1所述的硅片冷却装置，其特征在于，所述进气口(11)的直径为0.5-1.5cm。
6.如权利要求1-5中任一项所述的硅片冷却装置，其特征在于，还包括温度传感器(2)及控制器，所述温度传感器(2)设置于所述箱体(1)内，所述控制器分别与所述温度传感器(2)和所述抽气装置连接，所述控制器根据所述温度传感器(2)检测到的所述箱体(1)内的温度控制所述抽气装置和所述进气装置的启停。
7.如权利要求6所述的硅片冷却装置，其特征在于，还包括报警器(3)，所述报警器(3)与所述控制器连接。
8.如权利要求6所述的硅片冷却装置，其特征在于，所述进气管和所述排气管均设置有流量阀，所述流量阀与所述控制器连接，所述控制器根据所述温度传感器(2)检测到的所述箱体(1)内的温度控制所述流量阀允许通过的流量。
9.如权利要求1-5中任一项所述的硅片冷却装置，其特征在于，还包括设置于所述箱体(1)的底板上的搁架(4)，所述石英舟放置在所述搁架(4)上。
10.如权利要求9所述的硅片冷却装置，其特征在于，还包括挡板(5)，所述挡板(5)设置于所述箱体(1)内，所述挡板(5)上均布有通孔，所述挡板(5)上设置有所述搁架(4)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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