[实用新型]一种硅片冷却装置有效

专利信息
申请号: 201721542815.8 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN207676883U 公开(公告)日: 2018-07-31
发明(设计)人: 杨健;党继东 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L31/18
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
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【说明书】:

实用新型公开了一种硅片冷却装置,涉及太阳能电池技术领域。硅片冷却装置包括箱体,所述箱体内放置承载硅片的石英舟,所述箱体的顶板和底板均设置有多个进气口,所述进气口通过进气管与进气装置连通,所述箱体相对的两个侧壁上均设置有排气口,所述排气口通过排气管与抽气装置连通。该硅片冷却装置中,箱体的顶板和底板均设置有进气口,氮气由硅片的上下两个方向与硅片接触,加快了箱体内的气体流动,加快了硅片与气体的热量传递,缩短了硅片的冷却时间,提高了太阳能电池片的生产效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种硅片冷却装置。

背景技术

太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被满足一定照度条件的光照到,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。太阳能电池的制备过程中,硅片需要依次经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜以及印刷等工序。扩散工艺是太阳能电池制备过程中的一个核心工序,即硅片以石英舟为载体放入扩散炉中,在一定温度下,向扩散炉内通入氮气和扩散源,以使硅片的表面扩散沉积PN结。

扩散后,硅片的温度较高,需要进行冷却,以避免硅片表面的PN结在装卸、输送以及后续加工过程中被破坏或污染。现有技术中,扩散完成后,将承载硅片的石英舟放置在箱体内,箱体的顶壁设置有进气口,通过进气口向箱体内通入氮气以冷却硅片。由于刚结束扩散工艺的石英舟和硅片的温度较高,需要冷却的时间长,冷却不到位将在卸载硅片时出现吸笔印等缺陷而导致硅片需要返工,严重影响硅片的生产效率。

此外,硅片在冷却过程中,无法判断硅片当前温度,为减少冷却不到位的现象,箱体内持续通入氮气,造成氮气浪费,提高了太阳能电池片的加工成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种硅片冷却装置,硅片的冷却效率高,提高了太阳能电池片的生产效率。

为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:

一种硅片冷却装置,包括箱体,所述箱体内放置承载硅片的石英舟,所述箱体的顶板和底板均设置有多个进气口,所述进气口通过进气管与进气装置连通,所述箱体相对的两个侧壁上均设置有排气口,所述排气口通过排气管与抽气装置连通。

其中,所述箱体的顶板和底板均设置有腔体,所述进气口设置于所述顶板和所述底板的内层,所述腔体分别与所述进气管和所述进气口连通。

其中,所述顶板上的进气口与所述底板上的进气口交错设置。

其中,所述箱体的前侧设置有开口以及用于遮挡或打开所述开口的箱门。

其中,所述箱门为卷帘门。

其中,所述箱体的背板设置有多个所述进气孔。

其中,所述排气口位于所述箱体的侧壁的中部。

其中,所述进气口的直径为0.5-1.5cm。例如,进气口的直径可以为0.5cm、0.7cm、0.9cm、1.1cm、1.3cm、1.5cm。

其中,还包括温度传感器及控制器,所述温度传感器设置于所述箱体内,所述控制器分别与所述温度传感器和所述抽气装置连接,所述控制器根据所述温度传感器检测到的所述箱体内的温度控制所述抽气装置和所述进气装置的启停。

其中,还包括报警器,所述报警器与所述控制器连接。

其中,所述进气管和所述排气管均设置有流量阀,所述流量阀与所述控制器连接,所述控制器根据所述温度传感器检测到的所述箱体内的温度控制所述流量阀允许通过的流量。

其中,所述进气管和所述排气管均设置有流量计。

其中,还包括设置于所述箱体内的搁架,所述石英舟放置在所述搁架上。

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