[实用新型]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块有效
| 申请号： | 201721552715.3 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN207460142U | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 匡珩;黄贞松 | 申请（专利权）人： | 南京国博电子有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/16 | 分类号： | H04B1/16;H04B1/10;H01L25/16;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低噪放 芯片 氮化铝基板 驱动芯片 砷化镓 接收前端模块 标准封装 接收支路 开关电路 引线框 一体化 粘接 本实用新型 驱动 发射通道 工作安全 接收通道 开关元件 直接粘接 中心金属 集成度 多芯片 高集成 裸芯片 衬底 级连 热阻 串联 组装 加工 | ||
1.TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，其特征在于包括QFN5×5-32L标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片；其中，氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在QFN5×5-32L标准封装引线框中心金属衬底上，三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上，第一PIN二极管作为发射通道，第二PIN二极管和第三PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路，该接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道，氮化铝基板，三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片与QFN5×5-32L标准封装引线框对应管脚和中心金属衬底间用金丝键合连接。
2.根据权利要求1所述的TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，其特征在于所述第一PIN二极管反向耐压大于300V，结电容小于0.2P，串联电阻小于0.5欧姆，热阻小于15度/瓦，所述第二PIN二极管和第三PIN二极管反向耐压大于200V，结电容小于0.05P，串联电阻小于0.5欧姆。
3.根据权利要求1所述的TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，其特征在于所述氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片用导热系数>10W/MK的高导热银浆粘接在QFN5×5-32L标准封装引线框中心金属衬底上，PIN二极管芯片用导热系数>10W/MK的高导热银浆粘接氮化铝基板。
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