[实用新型]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块

说明书

本实用新型是TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，包括标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片，其中氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上，三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上，一个PIN二极管作为发射通道，其它二个PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路，接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道，开关电路的切换由硅驱动芯片实现。优点：1）一体化集成度高，通用性好，工作安全可靠；2）多芯片组装和裸芯片直接粘接加工，降低热阻，提升可靠性，降低使用成本。

技术领域

本实用新型涉及的是一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，属于移动通信技术领域。

背景技术

第三代移动通信和新一代宽带移动通信的TD-SCDMA和WIMAX系统、以及TD-LTE系统均采用TDD模式，在基站系统中，发射通道功放（PA）到天线（ANT）和接收通道到天线（ANT）间由一个大功率开关（SW）来控制收发切换；接收通道的低噪声放大器放大天线从空中接收到的微弱信号，其噪声，非线性，匹配等性能对整个接收机至关重要。

现代移动通信技术要求射频器件、模块向高选择性，低成本和小型化的方向发展。第三代第四代移动通信系统的发展，通信速率大大提高，对射频器件、模块在大功率和高集成度上提出了更高的要求。

发明内容

本实用新型是一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，其目的旨在降低TDD系统基站接收通道的噪声系数，提高接收前端的集成度和灵敏度，大幅减小电路面积，降低成本，优化性能。

本实用新型的技术解决方案：

TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，包括QFN5×5-32L标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片，氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在QFN5×5-32L标准封装引线框中心金属衬底上，三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上，第一PIN二极管作为发射通道，第二PIN二极管和第三PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路，接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道，开关电路的切换由硅驱动芯片实现。

本实用新型的有益效果：

1）开关、驱动及低噪声一体化，集成度更高，产品通用性好，灵活性强，工作安全可靠；

2）满足TD-SCDMA、WIMAX及TD-LTE系统基站功放大功率切换控制的要求、接收通道的低噪声系数和增益要求，具有更高的灵敏度以及集成度，成本低，性能优；

3）多芯片组装（MCM）技术，裸芯片直接粘接加工方法，降低芯片与基板之间的热阻，提升模块的可靠性和产品电性能，降低模块的使用成本。

附图说明

图1是本实用新型的电路结构及芯片粘接、引线键合示意图。

图2是氮化铝基板示意图。

图3是硅驱动芯片示意图。

图4是低噪放芯片示意图。

图5是本实用新型的应用示意图。

图中，A是氮化铝基板A，B、C、D是三个PIN二极管芯片，E是硅驱动芯片，F是砷化镓低噪放芯片。

具体实施方式