[实用新型]一种功率MOS的过温保护电路有效
| 申请号： | 201721561486.1 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN207490497U | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黎晓英;余浩琪;赵波;李鄂胜;郑海法 | 申请（专利权）人： | 武汉奥泽电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H5/04 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 黄君军 |
| 地址： | 430090 湖北省武汉市汉南区经济开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率MOS 关断控制模块 温度检测模块 设置模块 迟滞 输出 过温保护电路 本实用新型 控制信号输入端 电压信号 电源供给 过温保护 输出信号 温度转换 稳压模块 关断 串联 恢复 检测 灵活 | ||
1.一种功率MOS的过温保护电路，其特征在于，包括：温度检测模块、关断控制模块、迟滞设置模块、功率MOS；所述温度检测模块检测所述功率MOS温度,并将所述功率MOS的温度转换为电压信号；所述关断控制模块串联在控制信号输入端和所述功率MOS栅极之间，所述关断控制模块连接所述温度检测模块、所述迟滞设置模块，所述关断控制模块接收并比较温度检测模块、迟滞设置模块的输出信号，根据比较结果切断功率MOS的输出或恢复功率MOS的输出。
2.如权利要求1所述的功率MOS的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测模块包括热敏电阻、第三电阻，所述热敏电阻一端连接所述控制信号输入端，所述热敏电阻另一端连接所述第三电阻一端。
3.如权利要求2所述的功率MOS的过温保护电路，其特征在于，所述关断控制模块包括第一电阻、运算放大器，所述第一电阻一端连接所述控制信号输入端，所述第一电阻另一端连接所述运算放大器输出端、所述功率MOS栅极，所述运算放大器反相输入端连接所述热敏电阻另一端。
4.如权利要求3所述的功率MOS的过温保护电路，其特征在于，所述迟滞设置模块包括第二电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管，所述第二电阻一端连接所述控制信号输入端，所述第二电阻另一端连接所述第四电阻一端、所述第五电阻一端、所述运算放大器同相输入端，所述第四电阻另一端连接所述第三电阻另一端并接地，所述第五电阻另一端连接所述第一二极管阳极，所述第一二极管阴极连接所述第一电阻另一端。
5.如权利要求3所述的功率MOS的过温保护电路，其特征在于，所述运算放大器的运放电源引脚连接控制信号输入端，所述运算放大器接地。
6.如权利要求1所述的功率MOS的过温保护电路，其特征在于，所述功率MOS的源极接地，所述功率MOS的漏极连接用电器。
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