[实用新型]一种功率MOS的过温保护电路

说明书

本实用新型公开了一种功率MOS的过温保护电路，包括：温度检测模块、关断控制模块、迟滞设置模块、功率MOS；温度检测模块检测功率MOS温度,并将功率MOS的温度转换为电压信号；关断控制模块串联在控制信号输入端和功率MOS栅极之间，关断控制模块连接温度检测模块、迟滞设置模块，关断控制模块接收并比较温度检测模块、迟滞设置模块的输出信号，根据比较结果切断功率MOS的输出或恢复功率MOS的输出。与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：关断控制模块可根据功率MOS温度关断功率MOS输出或恢复功率MOS输出，可对功率MOS起到过温保护作用，实用性强，方便灵活，不需要额外的电源供给或稳压模块。

技术领域

本实用新型涉及过温保护技术领域，尤其是涉及一种功率MOS的过温保护电路。

背景技术

功率MOS尤其工作在线性放大状态时,会产生大量的热量,需要使用过温保护电路来防止器件由于散热条件变差时产生热击穿而永久损坏。目前常采用的过温保护方案,通常是在漏极回路使用熔断器或附加大量的电源,采集、处理电路来实现，需要额外的电源供给或稳压模块，且结构复杂，不够实用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述技术不足，提出一种功率MOS的过温保护电路，解决现有技术中的上述技术问题。

为达到上述技术目的，本实用新型的技术方案提供一种功率MOS的过温保护电路，包括：温度检测模块、关断控制模块、迟滞设置模块、功率MOS；温度检测模块检测功率MOS温度,并将功率MOS的温度转换为电压信号；关断控制模块串联在控制信号输入端和功率MOS栅极之间，关断控制模块连接温度检测模块、迟滞设置模块，关断控制模块接收并比较温度检测模块、迟滞设置模块的输出信号，根据比较结果切断功率MOS的输出或恢复功率MOS的输出。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：关断控制模块可根据功率MOS温度关断功率MOS输出或恢复功率MOS输出，可对功率MOS起到过温保护作用，实用性强，方便灵活，不需要额外的电源供给或稳压模块。

附图说明

图1是本实用新型提供的一种功率MOS的过温保护电路原理图；

图2是本实用新型提供的一种功率MOS的过温保护电路图。

附图中：第一电阻为R1，第二电阻为R2，第三电阻为R3，第四电阻为R4，第五电阻为R5，热敏电阻为T1，运算放大器为U1，功率MOS为Q1，第一二极管为D1。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供了一种功率MOS的过温保护电路，包括：温度检测模块、关断控制模块、迟滞设置模块、功率MOS；温度检测模块检测功率MOS Q1温度,并将功率MOS Q1的温度转换为电压信号；关断控制模块串联在控制信号输入端和功率MOS Q1栅极之间，关断控制模块连接温度检测模块、迟滞设置模块，关断控制模块接收并比较温度检测模块、迟滞设置模块的输出信号，根据比较结果切断功率MOS Q1的输出或恢复功率MOS Q1的输出。

上述技术方案中，温度检测模块包括热敏电阻T1、第三电阻R3，热敏电阻T1一端连接控制信号输入端，热敏电阻T1另一端连接第三电阻R3一端。温度检测模块可使用NTC等热敏器件,布置在功率MOS Q1附近并紧贴其散热器。本实施例中，温度检测模块使用负温度系数的热敏电阻T1，(也可以使用正温度系数的热敏电阻，如使用正温度系数的热敏电阻，只需要将热敏电阻、第三电阻对调位置即可)；当功率MOS Q1的温度上升时，热敏电阻T1的阻值减小，第三电阻R3上的分压值变大，温度检测模块输出电压增大；反之，输出电压减小。