[实用新型]一种硅片刻蚀传动结构有效
申请号: | 201721561846.8 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN207458979U | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 李邦勇;党继东 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送带 硅片 刻蚀 支架 啮合 传动结构 转轴 本实用新型 太阳能电池技术 锯齿 锯齿啮合 两侧设置 驱动部件 转动连接 转轴转动 滚轮 传送 驱动 外部 保证 | ||
1.一种硅片刻蚀传动结构,其特征在于,包括:
支架(1);
传送带(2),设置于所述支架(1)上方,所述传送带(2)的两侧均设置有锯齿(21);
转轴(3),转动连接于所述支架(1)并位于所述支架(1)的两端,所述传送带(2)包裹于所述转轴(3)的外部;
辅助啮合部(4),分别设置于所述转轴(3)的两端,所述辅助啮合部(4)能够与所述锯齿(21)啮合;及
驱动部件,用于驱动所述转轴(3)转动。
2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述辅助啮合部(4)位于所述传送带(2)的两侧。
3.根据权利要求1所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述辅助啮合部(4)为端面齿轮。
4.根据权利要求1所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述传送带(2)为网状结构,所述传送带(2)包括若干网格(22)。
5.根据权利要求4所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述网格(22)为菱形结构,所述网格的长度为0.2-0.5cm,所述网格的宽度为0.1-0.3cm。
6.根据权利要求5所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述转轴(3)上设置有不少于一个的滚轮,所述滚轮周向设置有齿牙,所述齿牙与所述网格(22)相适配,并能够插入所述网格(22)内。
7.根据权利要求6所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述齿牙未超出所述传送带(2)的上表面。
8.根据权利要求1所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述支架(1)包括第一支架(11)、第二支架(12)及多个支撑杆(13),所述支撑杆(13)设置于所述第一支架(11)和所述第二支架(12)之间;
所述传送带(2)位于所述支撑杆(13)的上方;
所述转轴(3)分别转动连接于所述第一支架(11)和所述第二支架(12)。
9.根据权利要求8所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述支撑杆(13)包括竖向支撑杆(131)和横向支撑杆(132),所述横向支撑杆(132)垂直连接于所述竖向支撑杆(131),且所述横向支撑杆(132)的两端分别连接于所述第一支架(11)和所述第二支架(12)。
10.根据权利要求1所述的硅片刻蚀传动结构,其特征在于,所述转轴(3)的直径为5-8cm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的