[实用新型]一种适用于防止植锡网变形的微孔结构装置有效
申请号: | 201721587389.X | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN207398073U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 张国标;胡建;杨士旭 | 申请(专利权)人: | 东莞市长善精密科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34 |
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地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 防止 植锡网 变形 微孔 结构 装置 | ||
本实用新型公开了一种适用于防止植锡网变形的微孔结构装置,包括加热系统装置和植锡底座台,所述加热系统装置底部固定连接有加热喷口,且加热系统装置中间设置有进气孔,所述加热系统装置内部设置有加热空腔,且加热空腔底部固定连接有通热管道,所述安装槽内部设置有待植物,所述销钉连接槽内部设置有定位植锡网销钉,其定位植锡网销钉顶部固定连接有芯片植锡网,且芯片植锡网表面设置有微孔结构。该适用于防止植锡网变形的微孔结构装置通过在植锡网受热部位设置微孔,改变植锡网受热部位的热聚膨胀效应,削除因热聚膨胀效应产生的芯片植锡网形变,此外此微孔结构装置采用高精技术制作,锡膏无法穿过微孔。
技术领域
本实用新型涉及植锡设备技术领域,具体为一种适用于防止植锡网变形的微孔结构装置。
背景技术
植锡网是为了固定植锡芯片或PCB板,从而对其进行植锡工序的重要零部件。
传统植锡网只有植锡孔,没有微孔工艺,在植锡过程中,因热聚膨胀效应导致植锡网受热鼓起变形,植锡网与被植锡芯片或PCB板产生分离现象,锡膏会因植锡网与被植锡芯片或PCB板的分离发生侧向溢出,直接导致的后果就是被植锡芯片的焊脚被侧向溢出的焊锡短路。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种适用于防止植锡网变形的微孔结构装置,以解决上述背景技术中提出现有的植锡网在植锡过程中,因热聚膨胀效应导致植锡网受热鼓起变形,植锡网与被植锡芯片或PCB板产生分离现象,锡膏会因植锡网与被植锡芯片或PCB板的分离发生侧向溢出,直接导致的后果就是被植锡芯片的焊脚被侧向溢出的焊锡短路的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种适用于防止植锡网变形的微孔结构装置,包括加热系统装置和植锡底座台,所述加热系统装置顶部固定连接有加热装置上部连接端,且加热装置上部连接端外侧固定连接有加热装置连接凸块,所述加热系统装置底部固定连接有加热喷口,且加热系统装置中间设置有进气孔,所述加热系统装置内部设置有加热空腔,且加热空腔底部固定连接有通热管道,所述植锡底座台四角端固定连接有销钉连接槽,且植锡底座台上表面固定连接有安装槽,所述安装槽内部设置有待植物,所述销钉连接槽内部设置有定位植锡网销钉,其定位植锡网销钉顶部固定连接有芯片植锡网,且芯片植锡网表面设置有微孔结构。
优选的,所述进气孔的数量有且至少有五个,且进气孔于加热系统装置表面呈环状分布,并且进气孔与加热空腔连通。
优选的,所述安装槽内部摆放物品为PCB板或锡芯片,待植物为待植芯片或PCB板,且安装槽内的摆放物品与待植物相对应。
优选的,所述待植物的形状与安装槽的形状相吻合,且待植物上表面与植锡底座台上表面平齐。
优选的,所述芯片植锡网通过定位植锡网销钉和销钉连接槽与植锡底座台构成螺旋活动连接结构。
优选的,所述微孔结构于芯片植锡网表面呈均匀分布。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该适用于防止植锡网变形的微孔结构装置通过在植锡网受热部位设置微孔,改变植锡网受热部位的热聚膨胀效应,削除因热聚膨胀效应产生的芯片植锡网形变,此外此微孔结构装置采用高精技术制作,锡膏无法穿过微孔。该装置的进气孔的数量有且至少有五个,且进气孔于加热系统装置表面呈环状分布,并且进气孔与加热空腔连通,这使得在加热的过程中可以通过进气孔进入空气,并形成循环气流,防止加热系统装置内部过热而造成损坏,该装置的待植物的形状与安装槽的形状相吻合,且待植物上表面与植锡底座台上表面平齐,这使得待植物更稳固,避免植锡时发生错位,成功率更高,该装置的芯片植锡网通过定位植锡网销钉和销钉连接槽与植锡底座台构成螺旋活动连接结构,这使得芯片植锡网可以进行拆解安装,使用更方便,也使得更换使用更方便,该装置的微孔结构超微型结构,且微孔结构于芯片植锡网表面呈均匀分布,这样避免芯片植锡网受热后膨胀而发生变形,从而避免使得芯片被焊锡短路。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造