[实用新型]一种QFN贴膜治具有效
| 申请号： | 201721587584.2 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN207489819U | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 曹周 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 510530 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 容置槽 治具本体 芯片 贴膜 治具 本实用新型 框体 贴附 压坏 阵列式芯片 吸附固定 吸附组件 芯片设计 芯片阵列 缓冲层 上端 胶膜 容置 | ||
1.一种QFN贴膜治具，其特征在于，包括治具本体，所述治具本体上开设有一容置槽，所述容置槽的槽底设置有防止QFN的芯片被压坏的缓冲层，所述容置槽的尺寸大于所述QFN的芯片的尺寸，且小于所述QFN的框体的尺寸，所述QFN的芯片位于所述容置槽内时，所述QFN的框体位于所述治具本体的上端并通过吸附组件吸附固定。
2.根据权利要求1所述的QFN贴膜治具，其特征在于，所述缓冲层可拆卸固定在所述容置槽的槽底。
3.根据权利要求1所述的QFN贴膜治具，其特征在于，所述缓冲层为粘附在所述容置槽的槽底的胶膜。
4.根据权利要求1所述的QFN贴膜治具，其特征在于，所述缓冲层为粘附在所述容置槽的槽底的若干层胶膜。
5.根据权利要求3所述的QFN贴膜治具，其特征在于，所述胶膜靠近所述容置槽的槽底的一侧为背胶层，相对的另一侧为光滑层。
6.根据权利要求1所述的QFN贴膜治具，其特征在于，所述容置槽的槽深大于所述QFN的芯片的厚度，且所述芯片的厚度与所述缓冲层的厚度之和等于所述容置槽的槽深。
7.根据权利要求1至6任一项所述的QFN贴膜治具，其特征在于，所述吸附组件包括若干环绕所述容置槽开设在所述治具本体上端面的真空孔，以及用于抽真空的抽真空设备。
8.根据权利要求7所述的QFN贴膜治具，其特征在于，若干所述真空孔之间通过开设在所述治具本体内的通道进行连通。
9.根据权利要求7所述的QFN贴膜治具，其特征在于，至少一个所述真空孔沿所述治具本体的厚度方向贯穿所述治具本体。
10.根据权利要求1至6任一项所述的QFN贴膜治具，其特征在于，所述吸附组件为若干环绕所述容置槽间隔设置在所述治具本体上端面的吸盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
