[实用新型]一种QFN贴膜治具有效
申请号: | 201721587584.2 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN207489819U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 曹周 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 510530 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 容置槽 治具本体 芯片 贴膜 治具 本实用新型 框体 贴附 压坏 阵列式芯片 吸附固定 吸附组件 芯片设计 芯片阵列 缓冲层 上端 胶膜 容置 | ||
本实用新型公开一种QFN贴膜治具,包括治具本体,治具本体上开设有一容置槽,容置槽的槽底设置有防止QFN的芯片被压坏的缓冲层,容置槽的尺寸大于QFN的芯片的尺寸,且小于QFN的框体的尺寸,QFN的芯片位于容置槽内时,QFN的框体位于治具本体的上端并通过吸附组件吸附固定。通过在治具本体上开设一个容置槽,可以同时容置该QFN上的阵列式芯片,无需针对同一个QFN上的不同尺寸的芯片或者不同QFN的不同尺寸的芯片设计多个容置槽。与现有技术相比,本实用新型的QFN贴膜治具可以适用于不同类型的芯片阵列,且贴附待贴附胶膜时可防止芯片被压坏。
技术领域
本实用新型涉及集成电路封装技术,具体涉及一种QFN贴膜治具。
背景技术
QFN(QuadFlatNo-leadPackage,方形扁平无引脚封装)是表面贴装型封装之一。QFN是一种无引脚封装,呈正方形或矩形,封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热,围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。
QFN后贴膜设备在贴膜时先拉出一张膜,切断后将其吸附在真空底座上,抓取装置抓取框架后下压,使框架与膜接触,压合,从而完成框架贴膜的过程。在此过程中,为保护框架上的芯片和引线不受损,抓取装置中的治具压在框架周边以及内部每个芯片单元的四周。这种治具的缺点是:对于同尺寸的QFN封装,由于框架内部的芯片分布及尺寸不同,为保护框架上的芯片和线不受损,所以就必须使用不同构造的治具;一般同尺寸的QFN封装,其框架内部的芯片分布种类有几种,乃至十几种,这样就需要配备相应数量的治具,从而增加了生产成本;另外,生产同尺寸不同内部结构的QFN封装时,需要切换不同的治具,影响贴膜的生产效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种QFN贴膜治具,可适用于具有不同类型的芯片阵列的QFN贴膜。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
提供一种QFN贴膜治具,包括治具本体,所述治具本体上开设有一容置槽,所述容置槽的槽底设置有防止QFN的芯片被压坏的缓冲层,所述容置槽的尺寸大于所述QFN的芯片的尺寸,且小于所述QFN的框体的尺寸,所述QFN的芯片位于所述容置槽内时,所述QFN的框体位于所述治具本体的上端并通过吸附组件吸附固定。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,所述缓冲层可拆卸固定在所述容置槽的槽底。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,所述缓冲层为粘附在所述容置槽的槽底的胶膜。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,所述缓冲层为粘附在所述容置槽的槽底的若干层胶膜。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,所述胶膜靠近所述容置槽的槽底的一侧为背胶层,相对的另一侧为光滑层。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,所述容置槽的槽深大于所述QFN的芯片的厚度,且所述芯片的厚度与所述缓冲层的厚度之和等于所述容置槽的槽深。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,所述吸附组件包括若干环绕所述容置槽开设在所述治具本体上端面的真空孔,以及用于抽真空的抽真空设备。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,若干所述真空孔之间通过开设在所述治具本体内的通道进行连通。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,至少一个所述真空孔沿所述治具本体的厚度方向贯穿所述治具本体。
作为QFN贴膜治具的一种优选方案,所述吸附组件为若干环绕所述容置槽间隔设置在所述治具本体上端面的吸盘。
本实用新型的有益效果:通过在治具本体上开设一个容置槽,可以同时容置该QFN上的阵列式芯片,无需针对同一个QFN上的不同尺寸的芯片或者不同QFN的不同尺寸的芯片设计多个容置槽。与现有技术相比,本实用新型的QFN贴膜治具可以适用于不同类型的芯片阵列,且贴附待贴附胶膜时可防止芯片被压坏。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造