[实用新型]晶圆处理装置

权利要求书

1.一种晶圆处理装置，其特征在于，其包括：

半导体处理装置，所述半导体处理装置包括第一腔室部和可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，第一腔室部具有自外部穿过该第一腔室部以与所述微腔室连通的第一通孔和自外部穿过该第一腔室部以与微腔室连通的第二通孔；

进样装置，所述进样装置包括能与所述第一通孔相连通的流体流速控制单元和与所述流体流速控制单元相连接的处理流体选择单元，所述处理流体选择单元能够在提供的多种流体中选择此次所需的流体种类，所述流体流速控制单元用于控制所述处理流体选择单元向所述半导体处理装置输送的流体的流速；

出样装置，所述出样装置能与所述半导体处理装置的第二通孔相连通，其用于收集自所述半导体处理装置的所述第二通孔排出的反应溶液。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述进样装置还包括使得所述处理流体选择单元定量量取所需流体的处理流体定量单元。

3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括管路控制装置，所述管路控制装置分别与所述进样装置、所述出样装置以及所述半导体处理装置的所述第一通孔、所述第二通孔相连接，所述管路控制装置能够控制所述出样装置、所述半导体处理装置的第一通孔、所述半导体处理装置的第二通孔和所述出样装置之间的相互通断。

4.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括与所述出样装置相连接的检测仪器，以对所述出样装置中收集的反应溶液进行杂质含量检测。

5.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二腔室部和所述第一腔室部可在一驱动装置的驱动下在用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和用于处理该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动，当半导体处理装置处于关闭位置时，所述半导体晶圆能安装于微腔室中。

6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括：流体承载模块，所述流体承载模块用于承载各种未使用流体和/或处理过所述半导体晶圆的已使用流体，所述处理流体选择单元对所述流体承载模块中承载的流体进行选择。

7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述流体承载模块中承载的未使用的流体被所述进样装置输送至所述微腔室内，进而在所述微腔室内对其内的半导体晶圆进行处理，之后已使用过的流体经由所述半导体处理装置的第二通孔流入所述出样装置内或流回所述流体承载模块的废液回收装置内。

8.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括：通风模块，所述通风模块用于对所述半导体处理装置、所述进样装置、所述流体承载模块和/或所述出样装置进行通风换气。

9.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括电气控制模块，所述电气控制模块用于控制所述半导体处理装置、所述进样装置和/或所述管路控制装置。

10.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一腔室部具有自该第一腔室部面向所述微腔室的表面凹陷形成的凹槽道，所述第一通孔连通所述凹槽道的第一位置处，所述第二通孔连通所述凹槽道的第二位置处，第一通孔包括与所述凹槽道直接相通的第一缓冲口部和与该第一缓冲口部直接相通的第一通孔部，第二通孔包括与所述凹槽道直接相通的第二缓冲口部和与该第二缓冲口部直接相通的第二通孔部。