[实用新型]一种用于改善白像素的CMOS图像传感器有效

申请号：	201721592960.7	申请日：	2017-11-24
公开（公告）号：	CN207781597U	公开（公告）日：	2018-08-28
发明（设计）人：	王骞;秋沉沉;曹亚民	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146
代理公司：	上海申新律师事务所 31272	代理人：	严罗一
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	本实用新型光电二极管白像素氧化层界面隔离效果隔离多晶硅区域光电二级管传输电路电性隔离多晶硅层多晶硅负偏压固定的可调式上表面氧化层原有的噪声施加
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【权利要求书】：

1.一种用于改善白像素的CMOS图像传感器，其特征在于：采用4T结构的控制及传输电路，所述CMOS图像传感器包括光电二极管(1)，所述光电二级管上表面设置有多晶硅层(2)；所述光电二极管(1)表面覆盖常规厚度的栅氧化层(3)；所述栅氧化层(3)上方覆盖梯形或三角形的多晶硅层(2)；所述多晶硅层(2)采用P型掺杂。

2.根据权利要求1所述的用于改善白像素的CMOS图像传感器，其特征在于：所述光电二极管(1)上表面的多晶硅层(2)相互连接或相互隔离。

3.根据权利要求1所述的用于改善白像素的CMOS图像传感器，其特征在于：所述多晶硅层(2)通过共享或单独的接触孔与外界电路进行电气互联。

4.根据权利要求1所述的用于改善白像素的CMOS图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器还包括复位管。

5.根据权利要求1所述的用于改善白像素的CMOS图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器还包括源跟随器。

6.根据权利要求1所述的用于改善白像素的CMOS图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器还包括行选择器。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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