[实用新型]一种用于改善白像素的CMOS图像传感器

说明书

本实用新型提供了一种用于改善白像素的CMOS图像传感器，采用4T结构的控制及传输电路，所述CMOS图像传感器包括光电二极管，所述光电二级管上表面设置有多晶硅层。本实用新型针对现有CMOS图像传感器中采用P型掺杂隔离光电二极管和氧化层界面带来的隔离不充分的问题。本实用新型中在现有CMOS图像传感器CIS的基础上，加入额外的多晶硅设计，并在CIS工作时间内对该多晶硅区域施加负偏压，采用电性隔离的方法，降低氧化层界面态对光电二极管的影响，从而降低白像素等噪声，从而使原有的固定的氧化层隔离效果，变成可调式的隔离效果，满足不同的隔离需求。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体设备，尤其涉及一种用于改善白像素的CMOS图像传感器。

背景技术

如图1和图2所示，现有的金属氧化物半导体元件(CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor)图像传感器中，光电二极管与氧化层界面主要使用较薄的P型掺杂进行隔离，以降低界面态造成的白像素等噪声。该方法的缺陷在于，较宽的隔离层会导致满阱电容降低，较窄的隔离层中电子发生跃迁或复合的几率仍然较大，无法有效降低噪声，同时由于隔离层宽度固定，无法应对不同使用条件下隔离需求。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的缺陷，提供一种能有效改善白像素的CMOS图像传感器。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：

一种用于改善白像素的CMOS图像传感器，采用4T结构的控制及传输电路，所述CMOS图像传感器包括光电二极管，所述光电二级管上表面设置有多晶硅层。

为了进一步优化上述技术方案，本实用新型所采取的技术措施为：

优选的，所述光电二极管表面覆盖常规厚度的栅氧化层。

更优选的，所述栅氧化层上方覆盖梯形或三角形的多晶硅层。

优选的，所述多晶硅层采用P型掺杂。

优选的，所述光电二极管上表面的多晶硅层相互连接或相互隔离。

优选的，所述多晶硅层通过共享或单独的接触孔与外界电路进行电气互联。

优选的，所述CMOS图像传感器还包括复位管。

优选的，所述CMOS图像传感器还包括源跟随器。

优选的，所述CMOS图像传感器还包括行选择器。

本实用新型采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：

本实用新型针对现有CMOS图像传感器中采用P型掺杂隔离光电二极管和氧化层界面带来的隔离不充分的问题。本发明中在现有CMOS接触式图像传感器(CIS，Contact ImageSensor)的基础上，加入额外的多晶硅设计，并在CIS工作时间内对该多晶硅区域施加负偏压，采用电性隔离的方法，降低氧化层界面态对光电二极管的影响，从而降低白像素等噪声，从而使原有的固定的氧化层隔离效果，变成可调式的隔离效果，满足不同的隔离需求。

附图说明

图1为现有CMOS图像传感器的剖视图；

图2为现有CMOS图像传感器的俯视图；

图3为本实用新型的一种优选实施例的CMOS图像传感器的剖视图；

图4为本实用新型的一种优选实施例的CMOS图像传感器的俯视图；

其中的附图标记为：

1光电二级管；2多晶硅层；3栅氧化层；4隔离层；5传输管。

具体实施方式