[实用新型]掩膜板组件有效
申请号: | 201721603482.5 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN207557644U | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 苏君海;龚建国;吴俊雄;冉应刚;柯贤军;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/60;G03F1/68 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 叶剑 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 框边 遮挡物 掩膜板 平行 开口 本实用新型 可拆卸连接 端部连接 有机材料 组件包括 分辨率 有效区 | ||
本实用新型涉及一种掩膜板组件。上述的掩膜板组件包括框架以及遮挡物;框架包括第一框边、第二框边、第三框边和第四框边,第一框边与第二框边相互平行,第三框边的两端分别与第一框边和第二框边连接,第四框边的两端分别与第一框边的远离第三框边的端部和第二框边的远离第三框边的端部连接;第三框边与第四框边相互平行;遮挡物的两侧分别可拆卸连接于第一框边和第二框边上,遮挡物上开设有多个开口,每个开口用于通过有机材料。使用过程中,对于同一分辨率而不同有效区的产品,使用者仅需更换不同的遮挡物,使设计时仅需设计相应的遮挡物即可,而掩膜板组件中除遮挡物之外可以共用,使掩膜板组件的利用率较高且成本较低。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件的制造的技术领域,特别是涉及一种掩膜板组件。
背景技术
传统的掩模板组件的制造方法是先将遮挡物焊接在掩模板框架上,然后再将掩模基板焊接在掩模板框架上。由于遮挡物和掩模基板焊接固定在掩模板框架上,使这种掩膜板组件仅能满足特定型号的产品。
然而,对于其他的同一分辨率而不同有效区的产品,虽然掩模基板可以共用,但是用于遮挡掩模板的遮挡物因遮挡物的有效区不同而不能共用,需重新设计相应的掩模板组件,使掩膜板组件的利用率低且成本较高。
实用新型内容
基于此,有必要针对掩膜板组件的利用率低且成本较高的问题,提供一种掩膜板组件。
一种掩膜板组件,包括:
框架,包括第一框边、第二框边、第三框边和第四框边,所述第一框边与所述第二框边相互平行,所述第三框边的两端分别与所述第一框边和所述第二框边连接,所述第四框边的两端分别与所述第一框边的远离所述第三框边的端部和所述第二框边的远离所述第三框边的端部连接,所述第三框边与所述第四框边相互平行;以及
遮挡物,所述遮挡物的两侧分别可拆卸连接于所述第一框边和所述第二框边上,所述遮挡物上开设有多个开口,每个所述开口用于通过有机材料。
上述的掩膜板组件,第一框边与第二框边相互平行,第三框边的两端分别与第一框边和第二框边连接,第四框边的两端分别与第一框边的远离第三框边的端部和第二框边的远离第三框边的端部连接,第三框边与第四框边相互平行,形成方形状的框架;掩膜基板可以焊接于框架上,遮挡物的两侧分别可拆卸连接于第一框边和第二框边上,由于遮挡物上开设有多个开口,且每个开口用于通过有机材料,使有机材料在蒸镀过程中通过开口蒸发至掩膜基板上;由于遮挡物的两侧分别可拆卸连接于第一框边和第二框边上,使用过程中,对于同一分辨率而不同有效区的产品,使用者仅需更换不同的遮挡物,设计时仅需设计相应的遮挡物即可,而掩膜板组件中除遮挡物之外可以共用,使掩膜板组件的利用率较高且成本较低。
在其中一个实施例中,所述第一框边、所述第二框边、所述第三框边和所述第四框边一体成型,使框架的结构较为紧凑。
在其中一个实施例中,所述遮挡物包括遮挡物本体、第一锁紧件和第二锁紧件,所述第一锁紧件和所述第二锁紧件均与所述遮挡物本体转动连接,多个所述开口均开设于所述遮挡物本体上,所述第一锁紧件上设有第一螺纹,所述第二锁紧件上设有第二螺纹;
所述框架还包括第一螺柱和第二螺柱,所述第一螺柱设于所述第一框边上,所述第二螺柱设于所述第二框边上,所述第一螺柱上开设有与所述第一螺纹相适配的第一螺纹孔,使得所述遮挡物与所述第一框边可拆卸连接,所述第二螺柱上开设有与所述第二螺纹相适配的第二螺纹孔,使得所述遮挡物与所述第二框边可拆卸连接。
在其中一个实施例中,所述第一螺柱与所述第一框边一体成型,使框架的结构更加紧凑。
在其中一个实施例中,所述第二螺柱与所述第二框边一体成型,使框架的结构更加紧凑。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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