[实用新型]用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室有效
申请号: | 201721619387.4 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN207966931U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | O·卢尔;L·多尔夫;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;J·罗杰斯;D·M·库萨 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环部件 调谐 可调整 工艺套件 基板处理腔室 致动机构 处理腔室 基板处理设备 间隙变化 顶表面 可移动 致动 配置 申请 | ||
1.一种用于基板处理腔室的工艺套件,所述工艺套件包括:
边缘环,所述边缘环具有第一环部件和第二环部件,所述第一环部件与所述第二环部件对接,使得所述第二环部件相对于所述第一环部件是可移动的,从而在这两者之间形成间隙;
可调整调谐环,所述可调整调谐环被定位在所述边缘环下方并且接触所述第二环部件的底表面,所述可调整调谐环具有顶表面和底表面,所述可调整调谐环的所述顶表面接触所述第二环部件;以及
致动机构,所述致动机构与所述可调整调谐环的所述底表面对接,所述致动机构被配置为致动所述可调整调谐环,使得所述第一环部件与所述第二环部件之间的所述间隙变化。
2.如权利要求1所述的工艺套件,其中所述可调整调谐环由导电材料形成。
3.如权利要求1所述的工艺套件,其中所述第一环部件包括:
形成在其中的阶梯状的表面。
4.如权利要求3所述的工艺套件,其中所述第二环部件包括:
形成在其中的阶梯状的表面,其中所述第二环部件的阶梯状的表面与所述第一环部件的阶梯状的表面对接。
5.如权利要求1所述的工艺套件,其中所述致动机构包括:
升降杆,所述升降杆具有第一端部和第二端部,所述升降杆的所述第一端部接触所述可调整调谐环的所述底表面,所述升降杆的所述第二端部与升降机构连通。
6.如权利要求1所述的工艺套件,其中所述致动机构被配置为将形成在等离子体与所述边缘环之间的等离子体壳层上下推动,同时维持所述等离子体壳层厚度近似恒定。
7.如权利要求1所述的工艺套件,其中所述可调整调谐环包括:
环形主体;
空腔,所述空腔形成在所述环形主体中,所述空腔形成在所述环形主体的底表面中;以及
进出孔口,所述进出孔口形成在所述环形主体中,所述进出孔口从所述可调整调谐环的所述顶表面延伸到所述空腔中。
8.如权利要求7所述的工艺套件,其中所述致动机构是被至少部分地设置在所述空腔中的螺钉,所述螺钉被配置为旋转穿过所述进出孔口,以便致动所述可调整调谐环。
9.如权利要求7所述的工艺套件,其中所述空腔具有第一直径,并且所述进出孔口具有第二直径,所述第一直径大于所述第二直径。
10.一种处理腔室,包括:
基板支撑构件,所述基板支撑构件被配置为支撑基板;以及
工艺套件,所述工艺套件由所述基板支撑构件支撑,所述工艺套件包括:
边缘环,所述边缘环具有第一环部件和第二环部件,所述第一环部件与所述第二环部件对接,使得所述第二环部件相对于所述第一环部件是可移动的,从而在这两者之间形成间隙;
可调整调谐环,所述可调整调谐环被定位在所述边缘环下方并且接触所述第二环部件的底表面,所述可调整调谐环具有顶表面和底表面,所述可调整调谐环的所述顶表面接触所述第二环部件;以及
致动机构,所述致动机构与所述可调整调谐环的所述底表面对接,所述致动机构被配置为致动所述可调整调谐环,使得所述第一环部件与所述第二环部件之间的所述间隙变化。
11.如权利要求10所述的处理腔室,其中所述可调整调谐环由导电材料形成。
12.如权利要求10所述的处理腔室,其中所述第一环部件包括:
形成在其中的阶梯状的表面。
13.如权利要求12所述的处理腔室,其中所述第二环部件包括:
形成在其中的阶梯状的表面,其中所述第二环部件的阶梯状的表面与所述第一环部件的阶梯状的表面对接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造