[实用新型]用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室

说明书

本申请涉及用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。

技术领域

本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备，并且更特定地涉及一种用于基板处理设备的改进的工艺套件。

背景技术

随着半导体技术节点进步使器件几何结构大小减小，基板边缘临界尺寸均匀性要求变得更加严格并且影响裸片良率。商用等离子体反应器包括用于控制跨基板的工艺均匀性(例如，诸如温度、气流、RF功率，等等)的多个可调谐旋钮。通常，在蚀刻工艺中，硅基板在被静电夹紧到静电卡盘的同时被蚀刻。

在处理期间，被搁置在基板支撑件上的基板可能经历在基板上沉积材料并且将材料的部分从基板去除、或蚀刻掉(通常以连续工艺或交替工艺进行)的工艺。具有跨基板表面的均匀的沉积和蚀刻速率通常是有益的。然而，跨基板表面常常存在工艺的不均匀性，并且这种工艺的不均匀性可能在基板的周边或边缘处是显著的。这些在周边处的不均匀性可归因于电场终止影响，并且有时称为边缘效应。在沉积或蚀刻期间，有时提供含有至少沉积环的工艺套件以有利地影响在基板周边或边缘处的均匀性。

因此，一直需要一种用于基板处理设备的改进的工艺套件。

实用新型内容

本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环；可调整调谐环；以及致动机构。环具有第一环部件和第二环部件。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环被定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环具有顶表面和底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。

在另一实施例中，本文中公开了一种处理腔室。处理腔室包括基板支撑构件和工艺套件。基板支撑构件被配置为支撑基板。工艺套件由基板支撑构件支撑。工艺套件包括：环；可调整调谐环；以及致动机构。环具有第一环部件和第二环部件。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环被定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环具有顶表面和底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。

在另一实施例中，本文中公开了一种处理基板的方法。将基板定位在设置于基板处理腔室中的基板支撑构件上。在基板上方创建等离子体。通过致动与边缘环的部件对接的可调整调谐环来调整该部件的高度，以便改变在基板的边缘处的离子的方向。

附图说明

因此，为了详细理解本公开内容的上述特征结构所用方式，上文所简要概述的本公开内容的更特定的描述可以参考实施例进行，一些实施例示出在附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施例，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效实施例。

图1是根据一个实施例的处理腔室的截面图。

图2A是根据一个实施例的图1的处理腔室的放大局部截面图。

图2B是根据一个实施例的图1的处理腔室的放大局部截面图。