[实用新型]一种半导体晶体管结构

权利要求书

1.一种半导体晶体管结构，其特征在于，所述半导体晶体管结构至少包括：

半导体衬底；

栅极结构，位于所述半导体衬底的上表面，包括栅极导电层及位于所述栅极导电层上的栅极绝缘层；

栅绝缘侧壁，位于所述栅极结构的侧壁；

栓导电结构，位于所述栅极结构的两侧，相邻的所述栓导电结构之间通过栓绝缘结构进行电学隔离；其中，所述栓导电结构和所述栅极结构之间的间隙大于所述栅绝缘侧壁的沉积厚度，以于所述栅绝缘侧壁及所述栓导电结构之间形成空气间隙；及，

第一绝缘封口层，形成于所述空气间隙上，以将所述空气间隙封闭成空气侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述第一绝缘封口层局部填入在所述栅绝缘侧壁及所述栓导电结构之间的空气间隙开口，所述第一绝缘封口层的往内填入深度不超过水平于所述栅极导电层顶面的平面高度。

3.如权利要求2所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述第一绝缘封口层的第一顶面、所述栅绝缘侧壁的第二顶面、所述栓导电结构的第三顶面及所述栅极结构的所述栅极绝缘层的第四顶面形成于同一研磨平面。

4.如权利要求3所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述栓绝缘结构具有第五顶面，亦形成于同一研磨平面。

5.如权利要求4所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述栓绝缘结构的第五顶面包含绝缘层的实体表面，所述绝缘层填充形成于由相邻所述栓导电结构和相邻所述空气侧壁包围的凹槽中。

6.如权利要求4所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述栓绝缘结构的第五顶面包含栓绝缘侧壁的环形表面及在所述环形表面包围内的第二绝缘封口层的表面，所述栓绝缘侧壁连接相邻所述栓导电结构的端缘并形成于所述栓导电结构的侧壁及所述半导体衬底的上表面，以包围形成空气间隔室；所述第二绝缘封口层将所述空气间隔室封闭成空气绝缘结构。

7.如权利要求6所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述第二绝缘封口层局部填入所述栓绝缘侧壁包围形成的空气间隔室开口，所述第二绝缘封口层的往内填入深度不超过水平于所述栅极导电层顶面的平面高度。

8.如权利要求6所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述栓绝缘侧壁的厚度介于2纳米至15纳米之间。

9.如权利要求6所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述空气间隔室的高度大于所述栅极导电层的高度，且小于所述栅极结构的高度；所述空气间隔室的宽度介于2纳米至20纳米之间；所述空气间隔室内的气体压力介于200毫托至一标准大气压之间。

10.如权利要求6所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述空气绝缘结构内具有笔尖状结构的封闭空气间隔室。

11.如权利要求1所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述栅绝缘侧壁的厚度介于2纳米至15纳米之间；所述栓导电结构的材料包括多晶硅；所述第一绝缘封口层的材料包含氮化硅，二氧化硅或氮氧化硅。

12.如权利要求1所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述空气间隙的高度大于所述栅极导电层的高度，且小于所述栅极结构的高度；所述空气间隙的宽度介于2纳米至20纳米之间；所述空气间隙内的气体压力介于200毫托至一标准大气压之间。

13.如权利要求1至12中任一项所述的半导体晶体管结构，其特征在于，所述空气侧壁内具有笔尖状结构的封闭空气间隙。