[实用新型]一种晶圆管芯通态压降的测量电路有效
申请号: | 201721650655.9 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN207488356U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 宋利鹏;郝瑞庭;刘惠鹏 | 申请(专利权)人: | 北京华峰测控技术有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100070 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 电流源模块 电压表模块 探针台 测量电路 通态压降 晶圆 吸盘 本实用新型 吸盘连接 第一端 圆管 种晶 公共电极 电流源 电压表 测量 | ||
本实用新型实施例公开了一种晶圆管芯通态压降的测量电路,其中,待测晶圆包括多颗管芯;该测量电路包括至少两个电流源模块、至少两个电压表模块和探针台吸盘;一电流源模块、一电压表模块与一颗管芯一一对应;多颗管芯的第一端相连,并通过待测晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘相连;每个电流源模块的第一端与其对应的管芯的第二端连接,电流源模块的第二端与探针台吸盘连接;每个电压表模块的第一端与其对应的管芯的第二端连接,电压表模块的第二端与探针台吸盘连接;每个电流源模块包括一电流源;每个电压表模块包括一电压表。本实用新型实施例可以提高晶圆管芯通态压降测量的准确性。
技术领域
本实用新型涉及集成电路测试领域,尤其涉及一种晶圆管芯通态压降的测量电路。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。
晶圆测试,需要配置有模拟电压/电流源表的自动测试设备和载放晶圆的专用设备——探针台。晶圆中包含有多颗管芯,需要测试每颗管芯的管芯通态压降。晶圆的背面是一个公共电极,若晶圆是肖特基晶圆,该公共电极可以是在晶圆内部,所有管芯的阴极相连,并通过晶圆的背面的公共电极引出,晶圆的顶面将各管芯的阳极分别引出;若晶圆是MOSFET晶圆,该公共电极可以是在晶圆内部,所有管芯的漏极相连,并通过晶圆的背面的公共电极引出,晶圆的顶面将各管芯的源极和栅极分别引出。以测量肖特基晶圆的管芯通态压降为例,在待测晶圆测试时,真空吸嘴将晶圆吸附在探针台吸盘上,使得待测晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘相连。探针台吸盘具有良好的导电特性。将电压表的正极,以及电流源的正极均与管芯的阳极连接,将电压表的负极,以及电流源的负极均与探针台吸盘连接。将电压表的测量值作为被测管芯的管芯压降。由于晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘之间存在接触电阻,导致电压表的测量值包括晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘之间存在接触电阻上的压降,并非被测管芯的实际管芯压降,故测量误差较大。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种晶圆管芯通态压降的测量电路,以实现晶圆管芯压降的准确测量。
本实用新型实施例提供了一种晶圆管芯通态压降的测量电路,该待测晶圆包括多颗管芯;
该测量电路包括至少两个电流源模块、至少两个电压表模块和探针台吸盘;
每个电流源模块与一颗管芯对应;每个电压表模块与一颗管芯对应;
管芯包括第一端和第二端;其中,多颗管芯的第一端相连,并通过待测晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘相连;
每个电流源模块的第一端与其对应的管芯的第二端连接,电流源模块的第二端与探针台吸盘连接;
每个电压表模块的第一端与其对应的管芯的第二端连接,电压表模块的第二端与探针台吸盘连接;
每个电流源模块包括一电流源;
每个电压表模块包括一电压表。
进一步地,每个电流源模块还包括与电流源串联的一开关单元;每一个电压表模块还包括与电压表串联的一开关单元。
进一步地,管芯均为二极管或MOSFET管。
进一步地,每个电压表模块的第一端与其对应的管芯的第二端的连接为开尔文连接;电压表模块的第二端与探针台吸盘的连接为开尔文连接。
进一步地,探针台吸盘表面镀金或镀镍。
进一步地,还包括真空吸嘴,用于将待测晶圆吸附在探针台吸盘上。
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