[实用新型]一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构

权利要求书

1.一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器件的中心区，所述终端保护区环绕在所述元胞区的周围，所述元胞区由若干个MOSFET器件单元体并联而成，所述MOSFET器件单元体包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），所述第一导电类型外延层（2）的上表面为半导体基板的第一主面（001），第一导电类型重掺杂衬底（1）的下表面为半导体基板的第二主面（002），在第一导电类型外延层（2）内沿着第一主面（001）指向第二主面（002）的方向设有沟槽（4），所述沟槽（4）两侧均设有第二导电类型体区（9），所述第二导电类型体区（9）设于第一导电类型外延层（2）内，且内部设有第一导电类型源极区（10），所述第一导电类型源极区（10）位于沟槽（4）左右两侧且邻接，在所述沟槽（4）和第一导电类型源极区（10）上方设有绝缘介质层（11），所述绝缘介质层（11）两侧设有源极接触孔（6），所述源极接触孔（6）内填充有金属，形成源极金属（12），所述源极金属（12）穿过源极接触孔（6）与第二导电类型体区（9）接触，且与第一导电类型源极区（10）欧姆接触，其特征在于，所述沟槽（4）的形状为倒梯形，且分为上下两部分，上部分包括倒梯形栅极导电多晶硅（7）和位于倒梯形栅极导电多晶硅（7）两侧的栅氧化层（8），下部分包括厚氧化层（3）及厚氧化层（3）包裹的倒梯形屏蔽栅（5）。

2.根据权利要求1所述的一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于：所述厚氧化层（3）的厚度大于栅氧化层（8）的厚度，所述厚氧化层的厚度为3000A~10000A，栅氧化层的厚度为800A~1200A。

3.根据权利要求1所述的一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于：所述倒梯形的沟槽（4）、倒梯形栅极导电多晶硅（7）和倒梯形屏蔽栅（5）中倒梯形的侧壁与半导体基板的第二主面（002）的夹角均为80°~90°。

4.根据权利要求1所述的一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于：所述倒梯形栅极导电多晶硅（7）和倒梯形屏蔽栅（5）间氧化层的厚度为2000A~4000A。

5.根据权利要求1所述的一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于：所述源极金属（12）和倒梯形栅极导电多晶硅（7）之间通过绝缘介质层（11）隔开。

6.根据权利要求1所述的一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于：所述倒梯形的沟槽（4）的深度为4~10um。

7.根据权利要求1所述的一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于：对于N型MOS器件，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；对于P型MOS器件，所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。