[实用新型]一种IGBT寿命监测系统有效
| 申请号： | 201721685429.4 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN207528868U | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韦延清;吴亚杰;李建霖;王乐鹏;李政霖 | 申请（专利权）人： | 珠海泰芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军;田学东 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香洲区高新区唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压采集模块 采集 正极 寿命监测系统 本实用新型 发射极连接 集电极连接 二极管 负极 寿命监测 发射极 集电极 关断 电路 二极管隔离 发射极电压 导通电压 电源模块 接地 电阻 | ||
1.一种IGBT寿命监测系统，其特征在于：包括至少一路IGBT寿命监测电路；所述IGBT寿命监测电路包括待测IGBT；正极与电源模块连接，负极与待测IGBT集电极连接的第一二极管；正极与待测IGBT发射极连接，负极与待测IGBT集电极连接的第二二极管；一端与待测IGBT的发射极连接，另一端接地的第一电阻；采集待测IGBT发射极电压的电压采集模块。
2.根据权利要求1所述的IGBT寿命监测系统，其特征在于：所述IGBT寿命监测电路中的第一电阻与电压采集模块、电源模块共地。
3.根据权利要求2所述的IGBT寿命监测系统，其特征在于：所述IGBT寿命监测系统包括N路IGBT寿命监测电路，N是大于等于2的整数；所述N路IGBT寿命监测电路串联连接。
4.根据权利要求3所述的IGBT寿命监测系统，其特征在于：所述各路IGBT寿命监测电路的电源模块输出的电源为隔离电源。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的IGBT寿命监测系统，其特征在于：所述IGBT寿命监测电路还包括一端与电源模块连接的第二电阻；一端与第二电阻连接，另一端与待测IGBT发射极连接的热敏电阻；所述电压采集模块还采集第二电阻与热敏电阻公共端的电压。
6.根据权利要求5所述的IGBT寿命监测系统，其特征在于：所述热敏电阻为NTC电阻。
7.根据权利要求5所述的IGBT寿命监测系统，其特征在于：所述IGBT寿命监测电路还包括连入电源模块与第一二极管正极之间的第四电阻；连入第一二极管正极与地之间的第五电阻；所述电压采集模块还采集第一二极管正极的电压；所述第五电阻与第一电阻、电压采集模块、电源模块共地。
8.根据权利要求1-4任意一项所述的IGBT寿命监测系统，其特征在于：所述IGBT寿命监测电路还包括连入电源模块与第一二极管正极之间的第四电阻；连入第一二极管正极与地之间的第五电阻；所述电压采集模块还采集第一二极管正极的电压；所述第五电阻与第一电阻、电压采集模块、电源模块共地。
9.根据权利要求1-4任意一项所述的IGBT寿命监测系统，其特征在于：所述IGBT寿命监测电路中的电源模块输出的电压是与待测IGBT的集电极和发射极之间导通压降相同或相近数量级的直流电压。
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