[实用新型]一种IGBT寿命监测系统

说明书

本实用新型公开了一种IGBT寿命监测系统，包括至少一路IGBT寿命监测电路；所述IGBT寿命监测电路包括待测IGBT；正极与电源模块连接，负极与待测IGBT集电极连接的第一二极管；正极与待测IGBT发射极连接，负极与待测IGBT集电极连接的第二二极管；一端与待测IGBT的发射极连接，另一端接地的第一电阻；采集待测IGBT发射极电压的电压采集模块。本实用新型通过第一二极管隔离待测IGBT关断时的电压，实现电压采集模块只采集待测IGBT集电极与发射极之间的导通电压，不会采集待测IGBT关断时的集电极与发射极之间的电压，提高了电压采集模块的采集精度。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种IGBT寿命监测系统。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是能源交换与传输的核心器件，广泛应用在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车以及新能源装备等领域。为了防止IGBT的不正常运行导致设备故障，需要提出一种方案实时监测IGBT的运行情况，进而及时更换有质量问题的IGBT。

公布号为CN106168674A的发明专利公开了一种IGBT老化状态检测系统，包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机；所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接，测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接，测试电源的负极待测IGBT的发射极连接，所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接，导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接，所述采集单元采集待测IGBT的集电极与发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机。

以上专利虽然能够检测待测IGBT的导通压降Vce以及集电极电流Ic，但是过程及电路结构复杂。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种IGBT寿命监测系统，通过结构简单的电路实时监测待测IGBT的集电极与发射极之间的导通压降以及集电极电流。

为了实现上述目的，本实用新型采取了如下的技术方案：

一种IGBT寿命监测系统，包括至少一路IGBT寿命监测电路；所述IGBT寿命监测电路包括待测IGBT；正极与电源模块连接，负极与待测IGBT集电极连接的第一二极管；正极与待测IGBT发射极连接，负极与待测IGBT集电极连接的第二二极管；一端与待测IGBT的发射极连接，另一端接地的第一电阻；采集待测IGBT发射极电压的电压采集模块。

进一步地，所述IGBT寿命监测电路中的第一电阻与电压采集模块、电源模块共地。

进一步地，所述IGBT寿命监测系统包括N路IGBT寿命监测电路，N是大于等于2的整数；所述N路IGBT寿命监测电路串联连接。

进一步地，所述各路IGBT寿命监测电路的电源模块输出的电源为隔离电源。

进一步地，所述IGBT寿命监测电路还包括一端与电源模块连接的第二电阻；一端与第二电阻连接，另一端与待测IGBT发射极连接的热敏电阻；所述电压采集模块还采集第二电阻与热敏电阻公共端的电压。

进一步地，所述热敏电阻为NTC电阻。

进一步地，所述IGBT寿命监测电路还包括连入电源模块与第一二极管正极之间的第四电阻；连入第一二极管正极与地之间的第五电阻；所述电压采集模块还采集第一二极管正极的电压；所述第五电阻与第一电阻、电压采集模块、电源模块共地。

进一步地，所述IGBT寿命监测电路还包括连入电源模块与第一二极管正极之间的第四电阻；连入第一二极管正极与地之间的第五电阻；所述电压采集模块还采集第一二极管正极的电压；所述第五电阻与第一电阻、电压采集模块、电源模块共地。