[实用新型]半导体装置的内连结构有效
| 申请号： | 201721695374.5 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN207818568U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 互连线 第一层 间隔区域 空气隙 半导体装置 内连结构 侧壁 衬底 本实用新型 附着 界定 填满 填充 隔离 封闭 生长 覆盖 | ||
1.一种半导体装置的内连结构，其特征在于，所述半导体装置的内连结构包括：
一衬底；及
至少一层内连层，形成于所述衬底上，所述内连层包括：多根形成于所述衬底上的第一层互连线及一覆盖所述第一层互连线的第一介质层和第二介质层，相邻的两根所述第一层互连线之间界定出一间隔区域，所述第一介质层附着在所述第一层互连线的侧壁上并往远离所述第一层互连线的侧壁的方向生长以非填满方式部分填充所述间隔区域，使所述第一介质层和所述第二介质层构成的介质层组合中形成有一空气隙在所述间隔区域中，并且所述第二介质层形成于所述第一介质层上，使所述空气隙封闭在所述第一介质层和所述第二介质层中。
2.如权利要求1所述的半导体装置的内连结构，其特征在于，所述空气隙经扩大而具有最大槽宽尺寸，不小于相邻的两根所述第一层互连线之间的60％。
3.如权利要求1所述的半导体装置的内连结构，其特征在于，所述空气隙的槽宽尺寸最大的位置位于所述空气隙的中部或者靠近所述衬底的底部。
4.如权利要求1所述的半导体装置的内连结构，其特征在于，所述空气隙在相邻的两根所述第一层互连线之间的截面形状呈纺锤形。
5.如权利要求1所述的半导体装置的内连结构，其特征在于，所述空气隙的顶部边界不高于所述第一层互连线的顶表面。
6.如权利要求1所述的半导体装置的内连结构，其特征在于，所述衬底的最表面层为位于动态随机存取器芯片的电容数组区上的绝缘氧化层。
7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的内连结构，其特征在于，还包括多根第二层互连线，形成于位于所述衬底上且包括所述第一层互连线的所述内连层上，相邻的两根所述第二层互连线之间界定出一上层间隔区域，一上层介质层附着在所述第二层互连线的侧壁上并往远离所述第二层互连线的侧壁的方向生长以非填满方式部分填充所述上层间隔区域，使所述上层介质层中形成有一上层空气隙在所述上层间隔区域中。
8.如权利要求7所述的半导体装置的内连结构，其特征在于，所述上层空气隙的延伸方向不相同于在所述第一层互连线之间的所述空气隙。
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