[实用新型]半导体装置的内连结构

说明书

本实用新型提供了一种半导体装置的内连结构，至少一层内连层形成于衬底上，内连层包括：多根形成于衬底上的第一层互连线及覆盖第一层互连线的第一介质层和第二介质层，相邻的两根第一层互连线之间界定出一间隔区域，第一介质层附着在第一层互连线的侧壁上并往远离第一层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充间隔区域，使第一介质层和第二介质层构成的介质层组合中形成有一空气隙在间隔区域中，并且第二介质层形成于第一介质层上，使空气隙封闭在第一介质层和第二介质层中，由此能够在相邻的互连线之间形成一尺寸较大的空气隙，从而实现互连线之间有效、可靠隔离。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体装置的内连结构。

背景技术

随着半导体集成电路技术的不断发展，连接半导体器件的内连结构被越来越广泛的运用，内连结构主要包括互连线及隔离所述互连线的介质层。半导体器件尺寸和互连线尺寸不断减小，从而导致互连线之间的间距逐渐缩小，进而导致介质层位于互连线之间的部分也变得越来越小，由此往往会导致互连线之间发生串扰。目前，通过降低介质层的介电常数，可有效地降低这种串扰，且低K(介电常数)材料的介质层可有效地降低互连线之间的电阻电容延迟(RC delay)和寄生电容，因此，低K介电材料和超低K介电材料已越来越广泛地应用于内连结构的介质层中。

如何形成具有较低K值的介质层以实现互连线之间有效、可靠隔离，成了本领域技术人员一直以来希望达成的一个目标。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体装置的内连结构，以实现互连线之间有效、可靠隔离。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种半导体装置的内连结构，所述半导体装置的内连结构包括：

一衬底；及

至少一层内连层，形成于所述衬底上，所述内连层包括：多根形成于所述衬底上的第一层互连线及一覆盖所述第一层互连线的第一介质层和第二介质层，相邻的两根所述第一层互连线之间界定出一间隔区域，所述第一介质层附着在所述第一层互连线的侧壁上并往远离所述第一层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充所述间隔区域，使所述第一介质层和所述第二介质层构成的介质层组合中形成有一空气隙在所述间隔区域中，并且所述第二介质层形成于所述第一介质层上，使所述空气隙封闭在所述第一介质层和所述第二介质层中。

可选的，在所述的半导体装置的内连结构中，所述空气隙经扩大而具有最大槽宽尺寸，不小于相邻的两根所述第一层互连线之间的60％。

可选的，在所述的半导体装置的内连结构中，所述空气隙的槽宽尺寸最大的位置位于所述空气隙的中部或者靠近所述衬底的底部。

可选的，在所述的半导体装置的内连结构中，所述空气隙在相邻的两根所述第一层互连线之间的截面形状呈纺锤形。

可选的，在所述的半导体装置的内连结构中，所述空气隙的顶部边界不高于所述第一层互连线的顶表面。

可选的，在所述的半导体装置的内连结构中，所述衬底的最表面层为位于动态随机存取器芯片的电容数组区上的绝缘氧化层。

可选的，在所述的半导体装置的内连结构中，还包括多根第二层互连线，形成于位于所述衬底上且包括所述第一层互连线的所述内连层上，相邻的两根所述第二层互连线之间界定出一上层间隔区域，一上层介质层附着在所述第二层互连线的侧壁上并往远离所述第二层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充所述上层间隔区域，使所述上层介质层中形成有一上层空气隙在所述上层间隔区域中。

可选的，在所述的半导体装置的内连结构中，所述上层空气隙的延伸方向不相同于在所述第一层互连线之间的所述空气隙。