[实用新型]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底定义有一器件区；

多条位线传导层，形成在所述衬底的所述器件区上，多条所述位线传导层沿相同的方向延伸；

位线保形层，形成在所述衬底的所述器件区上并贴附在所述位线传导层的侧壁，并且所述位线保形层由一形成在所述衬底上的保形介质层构成，所述保形介质层中位于所述器件区中的部分构成所述位线保形层；以及，

位线掩蔽层，形成在所述衬底的所述器件区上并遮盖所述位线传导层的侧壁，所述位线掩蔽层中对应在位线传导层侧壁的部分有间隔地遮盖所述位线保形层中贴附在所述位线传导层侧壁的部分，以设置一位线分隔夹层在所述位线保形层和所述位线掩蔽层之间，所述位线分隔夹层的介电常数小于所述位线保形层的介电常数且小于所述位线掩蔽层的介电常数，并且所述位线掩蔽层由一形成在所述衬底上的掩蔽介质层构成，所述掩蔽介质层中位于所述器件区中的部分构成所述位线掩蔽层；

其中，相邻的所述位线传导层中相邻的侧壁相互面对，以使相邻的所述位线传导层之间利用所述位线保形层、所述位线分隔夹层和所述位线掩蔽层相互隔离。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线分隔夹层包括气体间隙，由所述位线保形层中贴附在所述位线传导层侧壁的部分、所述位线分隔夹层的所述气体间隙、所述位线掩蔽层中遮盖所述传导层侧壁的部分构成所述位线传导层的侧墙隔离结构。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，还包括：

位线顶盖层，形成在所述衬底的所述器件区上并覆盖所述位线保形层的顶部、所述位线分隔夹层的所述气体间隙的顶部和所述位线掩蔽层的顶部，以封闭所述位线分隔夹层的所述气体间隙的顶部开口，并且所述位线顶盖层由一形成在所述衬底上的顶盖介质层构成，所述顶盖介质层中位于所述器件区中的部分构成所述位线顶盖层。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述位线顶盖层更延伸覆盖所述位线传导层的顶部和所述位线掩蔽层中远离所述位线传导层一侧的侧壁，以包覆所述位线传导层。

5.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述位线保形层封闭所述位线分隔夹层的所述气体间隙的底部开口，由所述位线保形层中贴附在所述位线传导层侧壁的部分至所述位线掩蔽层中遮盖所述传导层侧壁的部分定界所述位线分隔夹层的所述气体间隙的两侧宽度边界。

6.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述位线分隔夹层的所述气体间隙包括含氮气体间隙。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线分隔夹层包括低K介质层，所述低K介质层覆盖所述位线保形层中贴附在所述位线传导层的侧壁的部分，由所述位线保形层中贴附在位线传导层侧壁的部分、所述位线分隔夹层的所述低K介质层、所述位线掩蔽层中遮盖所述传导层侧壁的部分构成所述位线传导层的侧墙隔离结构。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述位线保形层沿着所述位线传导层的边界贴附在所述位线传导层的顶部和侧壁；以及，所述位线掩蔽层覆盖所述低K介质层的侧壁，并延伸覆盖所述低K介质层的顶部和所述位线传导层的顶部，以包覆所述位线传导层。

9.如权利要求1～8任一项所述的存储器，其特征在于，所述衬底还定义有一位于所述器件区外围的外围区，所述存储器还包括：

多个外围电路传导层，形成在所述衬底的所述外围区上；

外围保形层，形成在所述衬底的所述外围区上并贴附在所述外围电路传导层的侧壁，并且所述保形介质层还形成在所述衬底的所述外围区上以构成所述外围保形层；

外围掩蔽层，形成在所述衬底的所述外围区上并遮盖所述外围电路传导层的侧壁，并且所述外围掩蔽层中对应在外围电路传导层侧壁的部分有间隔地遮盖所述外围保形层中贴附在所述外围电路传导层侧壁的部分，以设置一外围分隔夹层在所述外围保形层和所述外围掩蔽层之间，所述外围分隔夹层的介电常数小于所述外围保形层的介电常数且小于所述外围掩蔽层的介电常数；并且，所述掩蔽介质层中位于所述外围区中的部分构成所述外围掩蔽层。

10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述外围分隔夹层包括气体间隙，所述存储器还包括：

外围顶盖层，形成在所述衬底的所述外围区上并覆盖所述外围保形层的顶部、所述外围分隔夹层的气体间隙的顶部和所述外围掩蔽层的顶部，以封闭所述外围分隔夹层的气体间隙的顶部开口；并且所述外围顶盖层由一形成在所述衬底上的顶盖介质层构成，所述顶盖介质层中位于所述外围区中的部分构成所述外围顶盖层。