[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器。利用依次设置在位线传导层上的位线保形层、位线分隔夹层和位线掩蔽层构成位线传导层的侧墙隔离结构，并且由于位线分隔夹层的介电常数低于位线保形层和位线掩蔽层的介电常数，从而可相应地减小位线传导层的侧墙隔离结构的介电常数，即相当于形成在相邻的位线传导层之间的介质材料的介电常数较小，从而可有效降低相邻的位线传导层之间的耦合电容，避免相邻的位线传导层相互串扰的问题，有利于实现存储器尺寸的缩减。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

随着半导体产业进入高性能与多功能的集成电路新时代，集成电路内半导体元件的密度会随之增加，从而使半导体元件尺寸之间的间距会随之缩小，进而会使半导体元件中的用于传导电信号的传导部之间的距离也相应的缩减，这将直接导致任意两相邻的传导部之间所产生的寄生电容增加。尤其是，随着半导体尺寸的不断缩减，相邻传导部之间所产生的寄生电容以及由寄生电容带来的干扰越来越明显，例如由于寄生电容的存在会导致由传导部构成的金属内连线的互连结构中电容耦合上升，从而增加电力消耗并提高电阻-电容(RC)时间常数。

例如，在存储器领域中也存在着尺寸不断微缩的趋势，从而使存储器中相邻的位线传导层之间的距离也逐渐靠近，并相应地使相邻的位线传导层之间的耦合电容上升，进而导致相邻的位线传导层相互串扰的问题，这在一定程度上会对存储器的性能造成影响，并限制了存储器尺寸的缩减。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种背存储器，以解决现有的存储器中相邻的位线传导层之间的耦合电容较大，而容易发生串扰的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种存储器，包括：

一衬底，所述衬底上定义有一器件区；

多条位线传导层，形成在所述衬底上的所述器件区上，多条所述位线传导层沿相同的方向延伸；

位线保形层，形成在所述衬底上的所述器件区上并贴附在所述位线传导层的侧壁上，并且所述位线保形层由一形成在所述衬底上的保形介质层构成，所述保形介质层中位于所述器件区中的部分构成所述位线保形层；以及，

位线掩蔽层，形成在所述衬底上的所述器件区上并间隔所述位线保形层而覆盖在所述位线传导层的侧壁上，所述位线掩蔽层中对应在所述位线传导层侧壁上的部分有间隔地覆盖所述位线保形层中贴附在所述位线传导层侧壁上的部分，以设置一位线分隔夹层在所述位线保形层和所述位线掩蔽层之间，所述位线分隔夹层的介电常数小于所述位线保形层和所述位线掩蔽层的介电常数，并且所述位线掩蔽层由一形成在所述衬底上的掩蔽介质层构成，所述掩蔽介质层中位于所述器件区中的部分构成所述位线掩蔽层；

其中，相邻的所述位线传导层中相邻的侧壁相互面对，以使相邻的所述位线传导层之间利用所述位线保形层、所述位线分隔夹层和所述位线掩蔽层相互隔离。

可选的，所述位线分隔夹层包括气体间隙，由所述位线保形层中贴附在位线传导层侧壁上的部分、所述位线分隔夹层的所述气体间隙、所述位线掩蔽层中覆盖在所述传导层侧壁上的部分构成所述位线传导层的侧墙隔离结构。

可选的，所述存储器还包括：

位线顶盖层，形成在所述衬底上的所述器件区上并遮盖所述位线保形层的顶部、所述位线分隔夹层的所述气体间隙的顶部和所述位线掩蔽层的顶部，以封闭所述位线分隔夹层的所述气体间隙的顶部开口，并且所述位线顶盖层由一形成在所述衬底上的顶盖介质层构成，所述顶盖介质层中位于所述器件区中的部分构成所述位线顶盖层。

可选的，所述位线顶盖层延伸遮盖所述位线传导层的顶部和所述位线掩蔽层中远离所述位线传导层一侧的侧壁，以包覆所述位线传导层。

可选的，所述位线分隔夹层的所述气体间隙包括含氮气体间隙。