[实用新型]一种高效晶硅/非晶硅异质结电池结构

说明书

本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构。它包括正面金属电极和背面金属电极，正面金属电极和背面金属电极之间依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜、正面N型非晶硅薄膜和正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅基底背面本征非晶硅薄膜、背面P型非晶硅薄膜以及背面铟锡氧化物透明导电薄膜，上正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度小于下正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度，采用上述的结构后，实现了HJT电池的优化，提升了HJT电池的转换效率，不但使透过性和导电性均实现了最优化，而且改善了与银金属电极的接触电阻，改善了膜层对光的吸收，使透光率得到明显改善，也使电池片的FF性能得到极大的提高。

技术领域

本实用新型涉及一种晶硅/非晶硅异质结电池结构，属于太阳能电池制造技术领域。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，高效电池的开发越来越受重视。其中用非晶硅本征层（a-Si:H(i)钝化的硅基异质结太阳电池（HJT电池是重点的研究方向之一。众所周知，硅基异质结太阳电池不仅有高的转化效率、高的开路电压，而且具有低的温度系数、无光致衰减（LID、无电致衰减（PID、低的制备工艺温度等优势。另外硅基异质结电池在保证高转化效率的同时，硅片厚度可减薄至100μm，有效减少了硅料耗量，并可用来制备可弯曲电池组件。

对于现有的HJT电池而言，由于结构设计不合理，有么使得HJT电池中非晶硅的导电性不佳，要么使得透光性差，现有技术中虽然可以通过选择导电薄膜作为调节手段，但透过率和方阻是两个不同的调试方向并不能同时提高透光性和导电性，所以如何实现同时具有透光性和导电性是目前需要解决的一个难题。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种不但能够进一步提升HJT电池的转换效率而且还能够使透过性和导电性实现最优化的晶硅/非晶硅异质结电池结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型的晶硅/非晶硅异质结电池结构，包括位于正面的正面金属电极和位于背面的背面金属电极，正面金属电极和背面金属电极之间设置有N型晶体硅基底，正面金属电极和N型晶体硅基底之间从上至下依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜、正面N型非晶硅薄膜和正面本征非晶硅薄膜，N型晶体硅基底和背面金属电极之间从上至下依次设置有背面本征非晶硅薄膜、背面P型非晶硅薄膜以及背面铟锡氧化物透明导电薄膜，上正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度小于下正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度。

所述正面金属电极和背面金属电极均为银电极，所述银电极包括主栅线以及与主栅线垂直分布的副栅线，所述主栅线的数量为4-18，主栅线的宽度为0.8-1.2mm，副栅线的数量为80-200，副栅线的宽度为30-80μm。

所述上正面铟锡氧化物透明导电薄膜的方阻为20-50Ω/□,下正面铟锡氧化物透明导电薄膜的方阻为80-110Ω/□，所述上正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度为10-20nm，所述下正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度为60-90 nm。

所述背面铟锡氧化物透明导电薄膜的方阻为45-65Ω/□，所述背面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度为70-90nm。

所述正面N型非晶硅薄膜的厚度为5-30nm，所述背面P型非晶硅薄膜的厚度为5-20nm。

所述正面本征非晶硅薄膜和背面本征非晶硅薄膜的厚度均为5-20nm。

所述N型晶体硅基底的形状为准方的单晶硅片，其厚度为170-200μm。