[实用新型]输送辊、输送装置及基片处理设备有效
申请号: | 201721704800.7 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN210040136U | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 佛罗瑞安·考滕巴赫;斯蒂芬·亚历克西斯·佩狄亚狄塔基斯;贝恩德-乌韦·桑德 | 申请(专利权)人: | 雷纳技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 11324 北京金恒联合知识产权代理事务所 | 代理人: | 李强 |
地址: | 德国古滕巴*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基片处理设备 输送装置 输送辊 突起部 处理液体 附加处理 干燥部 本实用新型 处理槽 处理罐 湿化学 | ||
1.用于输送基片(2)的输送辊(9,18),在其表面(10)上设置有突起部(11),其特征在于:
沿输送辊(9,18)的纵向方向(L)相邻的突起部(11)彼此相距至少5mm。
2.根据权利要求1所述的输送辊(9,18),其特征在于:
其中沿输送辊(9,18)的纵向方向(L)一个接一个地设置有至少两个突起部(11)。
3.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
突起部(11)被实施为高出部的形式。
4.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
所述突起部(11)与基体(14)一体地形成。
5.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
至少一个突起部(11)至少部分地沿着输送辊(9,18)的周向方向(U)延伸。
6.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
至少一个所述突起部(11)相对于纵轴(15)对称地形成。
7.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
至少一个突起部(11)是闭环结构的。
8.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
突起部(11)中的至少一个具有以锐角彼此相交的两个侧壁(16)。
9.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
其中至少一个突起部(11)具有弧形的两个侧壁(16),特别是凹形弯曲的两个侧壁(16)。
10.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
沿输送辊(9,18)的纵向方向(L)相邻的突起部(11)彼此相距至少10mm 的距离(d)。
11.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
突起部(11)中的至少一个是锥形尖端。
12.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
突起部(11)中的至少两个沿输送辊(9,18)的圆周方向(U)被一个接一个地设置。
13.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
突起部(11)具有至少2mm的高度(h)。
14.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
所述输送辊的表面(10)至少部分地是疏水的。
15.根据权利要求1或2所述的输送辊(9,18),其特征在于:
输送辊(9,18)的表面(10)的至少部分区域中具有塑料材料。
16.一种用于基片处理设备(1)的输送装置(8),其特征在于该输送装置(8)包括至少一个根据前述权利要求之一所述的输送辊(9,18)。
17.基片处理设备(1),包括根据权利要求16所述的输送装置(8)和具有处理液体(4,6)的处理槽(3,5),其特征在于:
所述输送辊(9,18)的相邻突起部(11)相隔得足够远,从而避免了导致所述处理液(4,6)存留在所述突起部(11)之间的毛细作用力的形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造