[实用新型]输送辊、输送装置及基片处理设备

说明书

本实用新型提供了用于输送基片(2)的输送辊(9,18)，在其表面(10)上设有突起部(11)。在一实施例中，沿输送辊(9,18)的纵向方向(L)一个接一个地设置有至少两个突起部(11)。在另一实施例中，突起部被实施为高出部的形式。还提供了用于基片处理设备(1)的输送装置(8)，包括至少一个所述输送辊。还提供了一种基片处理设备(1)，尤其是用于基片的单侧湿化学处理的，其包括所述输送装置和具有处理液体的处理槽(3,5)。在一实施例中，基片处理设备具有干燥部(7)，所述输送装置被设置在干燥部中。或者，基片处理设备具有处理液体的附加处理罐，其中在处理罐和附加处理罐之间设有所述输送装置。

技术领域

本实用新型涉及一种用于输送基片的输送辊和用于基片处理设备的输送装置。另外，本实用新型涉及具有输送装置的基片处理设备。

背景技术

在诸如太阳能电池制造等一些技术领域，需要只从一侧处理基片(也称为晶片)，而基片的另一侧不受处理的影响。

在这种情况下的湿法工艺领域中，例如，湿法化学边缘绝缘(对扩散背面设置的寄生发射极进行一侧蚀刻)、抛光(基片侧的化学平滑化，特别是纹理化基片背面)、电化学工艺(特别是金属化的电化学沉积)被称为单侧预处理步骤(例如基片边缘的疏水化)的随后处理。

与许多与基片侧面系统相关的批量生产过程相反，可以线内生产过程中对基片进行单面处理。

在一侧上处理基片的一种已知的线内方法，是在WO 2005/093788A1中描述的方法，该方法使待处理的基片的下侧与处理液体完全接触而形成弯月面。如果基片在一侧上被处理，则在基片离开含有处理液的处理槽之后，处理液的液滴仍会附着在基片的下侧。

在基片与布置在处理槽后面的用于输送基片的输送辊接触时，处理液的液滴可以被转移到输送辊上。如果随后的基片与输送辊接触，则随后的基片也会与保留在输送辊上的墨滴接触。这通常不是关键的，因为随后的基片在其下侧也携带处理液的残余物，因此留在输送辊上的处理液滴对随后的基片没有额外的负面影响。

然而，附着在处理液体的输送辊上的液滴不会与随后的基片的下表面接触，而是与其边缘接触。由于附着在输送辊上的处理液的液滴的尺寸可以在毫米范围内，而待处理基片的厚度通常在十分之二毫米的范围内，所以这种边缘接触可能导致处理液从输送辊被转移到下一个基片的顶部。特别是在基片的后缘，这是一个经常观察到的后果。处理液体对基片上侧的污染可能导致对基片上侧的不希望的后果，例如对基片上侧造成蚀刻。

过去，这些效果不重要，因为在之前的基片处理装置中，通常在处理槽上接着一个漂洗装置，在处理槽两侧离开处理槽后立即清洗基片，因而处理液只能短暂地作用在基片上。

然而，更新的工艺需要更宽范围的处理过程，例如基片的几个相继的单侧处理，特别是在处理槽之间的干运行，由此各处理槽之间对基片的中间清洗不能进行，或者这样的中间清洗将大大增加处理装置的复杂性。同时，还使用具有高反应性的处理液，其即使在知道被冲洗掉的短的反应时间里也可能对基片顶面产生负面影响。

实用新型内容

本实用新型的目的是基于用处理液体对基片进行的下侧处理，以减少处理液体从输送辊到后续基片的顶部的转移，优选地防止处理液体到后面基片的顶部的转移。

到目前为止，已经尝试通过在离开处理槽后冲洗处理过的基片和/或通过使用低反应性处理液来解决该问题。但是，这可能有以下缺点：

-对流程的限制，

-对处理槽的反应性的限制，

-对基片的任何上侧保护层有更高的要求。

通过根据本实用新型的一个方面的输送辊、根据本实用新型的另一个方面的输送装置以及根据本实用新型的又一个方面的基片处理设备，而得到了实现。

通过本实用新型，可以实现以下一个或多个优点：