[实用新型]掩膜版、曝光装置有效
| 申请号： | 201721711052.5 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN207636925U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 闫春龙;甄龙;李强;王德龙;李泽成 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 波段 本实用新型 曝光装置 透光区 曝光技术 牺牲基板 曝光 过滤 | ||
【权利要求书】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
遮光区，其不允许光线通过；
第一透光区，其允许第一波段的光通过，而过滤第二波段的光；
第二透光区，其允许第二波段的光通过，所述第二波段的光为用于曝光的光。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述第一波段的光具体为波长大于800纳米的光。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述第二波段的光具体为波长小于400纳米的光。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一透光区包括：
用于对位的对位区；
和/或，
用于进行计测的计测区。
5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括透光的基层；
所述第一透光区处的基层上设置有光过滤膜层，所述光过滤膜层允许第一波段的光通过，而过滤第二波段的光。
6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述光过滤膜层包括宽带分光膜。
7.一种曝光装置，其特征在于，包括权利要求1-6中任意一 项所述的掩膜版。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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