[实用新型]掩膜版、曝光装置有效
申请号: | 201721711052.5 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN207636925U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 闫春龙;甄龙;李强;王德龙;李泽成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 波段 本实用新型 曝光装置 透光区 曝光技术 牺牲基板 曝光 过滤 | ||
本实用新型提供一种掩膜版、曝光装置,属于曝光技术领域,其可解决利用现有的掩膜版进行曝光会牺牲基板利用率的问题。本实用新型的掩膜版包括:第一透光区,其允许第一波段的光通过,而过滤第二波段的光;第二透光区,其允许第二波段的光通过,所述第二波段的光为用于曝光的光。
技术领域
本实用新型属于曝光技术领域,具体涉及一种掩膜版、曝光装置。
背景技术
在用渐进式曝光机制备彩色滤光膜(彩膜)时,需要在掩膜版上专门设计空白区域1,用以通过计测光进行计测以及对位,而在对基板进行曝光时,需要对该空白区域1进行遮挡,以免对彩膜的形成产生影响。
如图1和图2所示,现有技术中,通常用遮光片2对空白区域1进行遮挡,由于遮光片2边缘会存在±3mm的灰区21,故如图2所示,在遮光片2覆盖区域以及灰区21都无法设计图案。而基板上无图案区域33不能用于显示,且在对盒时无图案区域33和其周边区域液晶分布不均,易造成显示发黄等问题。
为改善此问题,现有技术中会在设计冗余图案,利用冗余图案将无图案区域33和有图案区域隔开,即让无图案区域33与实际用于显示的区域隔开一定距离,避免对显示造成影响,具体设计方法一般为以下两种:一种为在无图案区域33之外设计冗余图案,但是此方法会牺牲基板的利用率;另一种为,在灰区21范围内设计冗余图案,但是由于灰区21曝光效果不好,会在彩膜制造阶段造成图案虚化、脱落等现象。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种可简化曝光工艺,提高基板利用率的掩膜版。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种用于曝光的掩膜版,包括:
遮光区,其不允许光线通过;
第一透光区,其允许第一波段的光通过,而过滤第二波段的光;
第二透光区,其允许第二波段的光通过,所述第二波段的光为用于曝光的光。
优选的,所述第一波段的光具体为波长大于800纳米的光。
进一步优选的,所述第二波段的光具体为波长小于400纳米的光。
优选的,所述第一透光区包括:
用于对位的对位区;
和/或,
用于进行计测的计测区。
优选的,所述掩膜版包括透光的基层;
所述第一透光区处的基层上设置有光过滤膜层,所述光过滤膜层允许第一波段的光通过,而过滤第二波段的光。
进一步优选的,所述光过滤膜层包括宽带分光膜。
解决本实用新型技术问题所采用的另一技术方案是一种曝光装置,包括上述任意一种掩膜版。
利用本实用新型提供的掩膜版进行彩膜曝光工艺时,无需在掩膜版的第一透光区的上方设置遮光片,故可减小曝光机的动作流程,简化曝光工艺,从而提高生产效率。同时,由于第一透光区可直接滤掉第二波段的光,故相对于现有技术中通过遮光片进行遮挡,本实用新型中不存在灰区,从而可以减小基板上的无图案区域的面积,进而可提高基板的利用率,并可有效减缓在基板对盒时液晶分布不均(例如显示发黄)的问题。
附图说明
图1为利用现有技术中的用遮光片遮挡空白区域时的示意图;
图2为利用现有技术中的掩膜版进行曝光时基板各区域的位置示意图;
图3为本实用新型的实施例的掩膜版的结构示意图;
图4为利用本实用新型的实施例的掩膜版进行曝光时基板各区域的位置示意图;
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备