[实用新型]一种用于高温气氛环境下粉体材料制备的化学气相沉积反应装置有效
申请号: | 201721718685.9 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN207918948U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 任文才;马超群;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反应器 内衬 耐高温陶瓷炉管 反应装置 反应腔 中空 粉体材料制备 化学气相沉积 高温气氛 加热炉体 本实用新型 圆柱状结构 翻料挡板 反应粉体 粉体材料 高温环境 快速冷却 快速装卸 气氛条件 生产技术 分体式 翻转 板结 粗的 法兰 分层 粉体 加热 装卸 | ||
本实用新型公开了一种用于高温气氛环境下粉体材料制备的化学气相沉积反应装置,属于粉体材料生产技术领域。该装置包括加热炉体、耐高温陶瓷炉管和内衬反应器;所述内衬反应器置于耐高温陶瓷炉管内部,所述加热炉体用于对耐高温陶瓷炉管和内衬反应器进行加热;所述内衬反应器为具有中空反应腔的圆柱状结构,所述中空反应腔为两端细中间粗的结构;所述中空反应腔内设有沟槽和/或翻料挡板结构。该反应装置可以在高温环境下实现对反应粉体的翻转搅拌,避免了常规CVD装置在反应过程中由于气氛条件不均造成的粉体分层、板结等问题。同时因为设计了分体式内衬反应器和快速装卸法兰,可实现连续装卸物料以及物料快速冷却。
技术领域
本实用新型涉及粉体材料生产技术领域,具体涉及一种用于高温气氛环境下粉体材料制备的化学气相沉积反应装置。
背景技术
为了实现单一材料无法具备的功能(如金属材料不具备轻质、柔性的特点,又如高分子材料不具备高导热、导电性特点等),人们开发制备了各种类型的复合材料。一般来说,复合材料是在基体中添加粉体形态的功能填料制得的。因此,所添加粉体颗粒自身的质量和性质直接影响复合材料的性能。
化学气相沉积(CVD)法是一种广泛应用的材料制备方法,相比于化学合成等方式,化学气相沉积工艺更加精准可控,所制备材料具有更少缺陷和更高质量。但是,由于普通CVD装置炉管处于静止状态,反应气氛只能到达基底材料表层,只适合薄膜材料的制备。特别是在一些应用场合(如金属沉积、非金属基底上制备高质量石墨烯等),需要反应温度达到1300℃-2000℃,但由于现有CVD装置材质和设计等问题,很难实现。
因此,研发一种能够在高温气氛环境下采用化学气相沉积装置实现一些高质量粉体材料的装置,具有重要意义。
实用新型内容
针对现有化学气相沉积设备无法在高温气氛环境下(1300℃-2000℃)实现粉体材料制备的问题,本实用新型的目的在于提供一种用于高温气氛环境下粉体材料制备的化学气相沉积反应装置,该装置通过对其结构的巧妙设计及对材质等的改进,可以在高温环境下实现对反应粉体的翻转搅拌,同时,因为设计了可推出的分体式内衬反应器和快速装卸法兰,可实现连续装卸物料以及物料快速冷却,提高了粉体生产效率。
为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案如下:
一种用于高温气氛环境下粉体材料制备的化学气相沉积反应装置,该装置包括加热炉体、耐高温陶瓷炉管和内衬反应器;所述内衬反应器置于耐高温陶瓷炉管内部,所述加热炉体设于耐高温陶瓷炉管底部,加热炉体用于对耐高温陶瓷炉管和内衬反应器进行加热;其中:所述内衬反应器为具有中空反应腔的圆柱状结构,所述中空反应腔为两端细中间粗的结构;所述中空反应腔内设有沟槽和/或翻料挡板结构。
所述沟槽为多个,均匀分布于所述内衬反应器的内壁上;所述翻料挡板设于内衬反应器内中间位置,包括若干沿内衬反应器轴向分布的条形挡板。所述沟槽或翻料挡板能够带动反应物料随炉管旋转而翻动混合;
所述耐高温炉管为陶瓷材质;所述内衬反应器的材料为石墨、氮化硼、陶瓷或耐高温金属材料。
所述内衬反应器的外径与所述耐高温陶瓷炉管内径相适应,以实现内衬反应器与耐高温陶瓷炉管的同步旋转。
所述内衬反应器为分体结构,包括以螺纹连接的反应器前段(进气)和反应器后段(出气),该分体结构方便拆卸及填装、取出物料操作;所述内衬反应器的前段设有进气口,后段设有出气口;进气口的内径大于出气口的内径,以保证气体充满反应区。
该装置还包括齿轮传动旋转系统和可旋转密封接头,实现耐高温陶瓷炉管和内衬反应器按设定速度匀速旋转;其中:所述齿轮传动旋转系统用于使耐高温陶瓷炉管产生轴向旋转;所述可旋转密封接头通过密封法兰安装在所述耐高温陶瓷炉管的两端;可旋转密封接头与密封法兰之间设置密封圈。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721718685.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的