[实用新型]集成电路紫外正性光刻胶的生产装置

说明书

集成电路紫外正性光刻胶的生产装置，主要包括：聚合釜(D101)、脱水脱酚塔(E101)、酯化釜(D102)、压滤机(L101)、干燥器(L102)、配胶釜(D103)、压滤机(L103)、百级超净间(L104)，其中，压滤机(L101)分别与酯化釜(D102)、干燥器(L102)相连接，压滤机(L103)分别与配胶釜(D103)、百级超净间(L104)相连接，其中，聚合釜(D101)公称容积700‑750L。

技术领域

本发明涉及化合物合成装置，尤其涉及集成电路紫外正性光刻胶的生产装置。

背景技术

紫外正性光刻胶适用于大规模、超大规模集成电路、半导体电子元件器件的生产及光学器件的加工。除了用于接触曝光外，还可以用于投影曝光、剥离技术、多层抗蚀剂加工及干法腐蚀等微细加工和分步重复曝光等方面。产品适应半导体和微电子工业不同工艺和胶膜厚度的需要。高黏度正胶适用于半导体器件及大功率晶体管光刻制作工艺。现有的生产装置大多比较复杂，紫外正性光刻胶作为半导体器件，其生产装置优劣对于提高产品质量，减少副产物含量具有重要经济意义。

发明内容

本发明的目的在于提供集成电路紫外正性光刻胶的生产装置，主要包括：聚合釜(D101)、脱水脱酚塔(E101)、酯化釜(D102)、压滤机(L101)、干燥器(L102)、配胶釜(D103)、压滤机(L103)、百级超净间(L104)，其中，压滤机(L101)分别与酯化釜(D102)、干燥器(L102)相连接，压滤机(L103)分别与配胶釜(D103)、百级超净间(L104)相连接，其中，聚合釜(D101)公称容积700-750L，酯化釜(D102)内锅直径600-630mm,百级超净间(L104)滤膜孔径0.15-0.16μm。

集成电路紫外正性光刻胶的生产装置，生产流程为：将原料混酚和甲醛送入聚合釜D101，加入适量草酸为催化剂，加热回流反应2～3h，然后经E101减压蒸馏去除水及未反应的单体酚，得到甲酚醛树脂。将丙酮、三羟基二苯甲酮、215酰氯加至酯化釜D102中搅拌下溶解，待完全溶解后滴加催化剂有机碱溶液，控制反应温度40～45℃。滴加完毕后，继续反应20-40min。将反应液倒入冷水中，感光剂析出，再经L101分离、L102干燥得感光剂。将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例加入D103中混合配胶。调整胶的各项指标使之达到要求，然后光刻胶首先经过过滤器L103过滤，然后转入百级超净间(L104)进行超净过滤，经超净过滤的胶液分装,即为成品。本发明优点在于：减少了反应中间环节，降低了反应温度及反应时间，提高了反应收率。

附图说明

图1是集成电路紫外正性光刻胶的生产装置，主要包括：聚合釜(D101)、脱水脱酚塔(E101)、酯化釜(D102)、压滤机(L101)、干燥器(L102)、配胶釜(D103)、压滤机(L103)、百级超净间(L104)。

具体实施方式

下面结合具体实施实例对本发明作进一步说明：

实例1：

生产原料与用量

集成电路紫外正性光刻胶的生产装置，主要包括：聚合釜(D101)、脱水脱酚塔(E101)、酯化釜(D102)、压滤机(L101)、干燥器(L102)、配胶釜(D103)、压滤机(L103)、百级超净间(L104)，其中，压滤机(L101)分别与酯化釜(D102)、干燥器(L102)相连接，压滤机(L103)分别与配胶釜(D103)、百级超净间(L104)相连接，其中，聚合釜(D101)公称容积700L，酯化釜(D102)内锅直径600mm,百级超净间(L104)滤膜孔径0.15μm。