[实用新型]显示装置有效
申请号: | 201721749337.8 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN207781601U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 郝学光;吴新银;马永达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 驱动薄膜晶体管 控制极 复位 电位 初始电压信号 发光控制信号 高电压信号线 像素驱动电路 有机发光器件 薄膜晶体管 本实用新型 低电压信号 扫描信号线 数据信号线 电压信号 写入数据 | ||
1.一种显示装置,其特征在于:包括有机发光器件、像素驱动电路、高电压信号线、低电压信号线、扫描信号线、数据信号线、初始电压信号线、发光控制信号线,驱动薄膜晶体管,用于给所述有机发光器件提供驱动电流;发光控制薄膜晶体管,用于控制所述有机发光器件发光;开关薄膜晶体管,用于控制数据电压的写入所述驱动薄膜晶体管的控制极;复位薄膜晶体管,用于复位所述驱动薄膜晶体管的控制极电位;存储电容,所述存储电容的至少一极与所述驱动薄膜晶体管的控制极电连接;所述发光控制薄膜晶体管的第一极与高电压信号线电连接,第二极与所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接;所述驱动薄膜晶体管的第二极与所述有机发光器件的第一极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括亮度增强电容,所述亮度增强电容的第一极电连接高电压信号线,第二极电连接有机发光器件的第一极。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接所述发光控制薄膜晶体管的第二极,第二极电连接有机发光器件的第一极,控制极电连接所述开关薄膜晶体管的第二极。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述发光控制薄膜晶体管的第一极电连接高电压信号线,第二极电连接驱动薄膜晶体管的第一极,控制极电连接发光控制信号线。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述开关薄膜晶体管的第一极电连接数据信号线,第二极电连接所述驱动薄膜晶体管的控制极,控制极电连接扫描信号线。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述复位薄膜晶体管的第一极电连接初始电压信号线,第二极电连接所述开关薄膜晶体管的第二极,控制极电连接扫描信号线。
7.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述亮度增强电容由第一金属图形、第二金属图形和位于所述第一金属图形和所述第二金属图形之间的绝缘层形成。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述亮度增强电容由第一金属图形、第二金属图形、第三金属图形和位于所述第一金属图形和所述第二金属图形之间的绝缘层,位于所述第二金属图形和所述第三金属图形之间的绝缘层形成。
9.根据权利要求7或8任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述第一金属图形位于所述第二金属图形之上。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,还包括源漏电极和栅电极,所述第二金属图形与源漏电极同一次构图工艺形成;所述第三金属图形与栅电极同一次构图工艺形成。
11.根据权利要求7或8任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管的第二极通过接触孔与有机发光器件的第一极电连接;所述第一金属图形与所述接触孔的间隔距离为2-5μm。
12.根据权利要求7或8任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述像素驱动电路包括红色子像素驱动电路、绿色子像素驱动电路和蓝色子像素驱动电路。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其特征在于,所述红色子像素驱动电路的亮度增强电容、绿色子像素驱动电路的亮度增强电容以及蓝色子像素驱动电路的亮度增强电容中,其中任意两个所述亮度增强电容的电容差值小于5%。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管的第一极是源电极或漏电极;所述有机发光器件的第一极是阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的