[实用新型]显示装置有效
申请号: | 201721749337.8 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN207781601U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 郝学光;吴新银;马永达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 驱动薄膜晶体管 控制极 复位 电位 初始电压信号 发光控制信号 高电压信号线 像素驱动电路 有机发光器件 薄膜晶体管 本实用新型 低电压信号 扫描信号线 数据信号线 电压信号 写入数据 | ||
本实用新型涉及一种显示装置,该显示装置包括有机发光器件、像素驱动电路、高电压信号线、低电压信号线、扫描信号线、数据信号线、初始电压信号线、发光控制信号线,显示装置的复位薄膜晶体管在写入数据电压信号前对驱动薄膜晶体管的控制极进行复位,稳定了驱动薄膜晶体管的控制极电位,有效提高了显示装置的可靠性。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种像素驱动电路、像素排列结构和显示装置。
背景技术
越来越多的有机电致发光显示器件(OLED)应用于显示装置的显示屏,相比于液晶显示屏(LCD),OLED显示屏具有高亮度、高色域、高对比度、轻薄等诸多优点,但目前市场上应用的OLED显示屏,由于像素驱动电路结构和像素排列结构存在诸多问题,导致显示质量欠佳。
实用新型内容
为了解决现有技术中,OLED显示屏显示质量欠佳,本实用新型实施例提供了一种像素驱动电路结构、像素排列结构、显示装置。所述技术方案如下:
第一方面,一种显示装置,包括有机发光器件、像素驱动电路、高电压信号线、低电压信号线、扫描信号线、数据信号线、初始电压信号线、发光控制信号线,驱动薄膜晶体管,用于给所述有机发光器件提供驱动电流;发光控制薄膜晶体管,用于控制所述有机发光器件发光;开关薄膜晶体管,用于控制数据电压的写入所述驱动晶体管的控制极;复位薄膜晶体管,用于复位所述驱动薄膜晶体管的控制极电位;存储电容,所述存储电容的至少一极与所述驱动薄膜晶体管的控制极电连接;所述发光控制薄膜晶体管的第一极与高电压信号线电连接,第二极与所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接;所述驱动薄膜晶体管的第二极与所述有机发光器件的第一极电连接。
进一步地,所述的显示装置,还包括亮度增强电容,所述亮度增强电容的第一极电连接高电压信号线,第二极电连接有机发光器件的第一极。
进一步地,所述显示装置的驱动薄膜晶体管的第一极电连接所述发光控制薄膜晶体管的第二极,第二极电连接有机发光器件的第一极,控制极电连接所述开关薄膜晶体管的第二极。
进一步地,所述显示装置的发光控制薄膜晶体管的第一极电连接高电压信号线,第二极电连接驱动薄膜晶体管的第一极,控制极电连接发光控制信号线。
进一步地,所述显示装置的开关薄膜晶体管的第一极电连接数据信号线,第二极电连接所述驱动薄膜晶体管的控制极,控制极电连接扫描信号线。
进一步地,所述显示装置的复位薄膜晶体管的第一极电连接初始电压信号线,第二极电连接所述开关薄膜晶体管的第二极,控制极电连接扫描信号线。具体地,所述显示装置的亮度增强电容由第一金属图形、第二金属图形和位于所述第一金属图形和所述第二金属图形之间的绝缘层形成。
可选地,所述显示装置的亮度增强电容由第一金属图形、第二金属图形、第三金属图形和位于所述第一金属图形和所述第二金属图形之间的绝缘层,位于所述第二金属图形和所述第三金属图形之间的绝缘层形成。
具体地,所述显示装置的第一金属图形位于所述第二金属图形之上。
具体地,所述显示装置还包括源漏电极和栅电极,所述第二金属图形与源漏电极同一次构图工艺形成;所述第三金属图形与栅电极同一次构图工艺形成。
具体地,所述显示装置的驱动薄膜晶体管的第二极通过接触孔与有机发光器件的第一极电连接;所述第一金属图形与所述接触孔的间隔距离为2-5μm。
具体地,所述显示装置的像素驱动电路包括红色子像素驱动电路、绿色子像素驱动电路和蓝色子像素驱动电路。
进一步地,所述显示装置的红色子像素驱动电路的亮度增强电容、绿色子像素驱动电路的亮度增强电容和蓝色子像素驱动电路的亮度增强电容,上述电容差值小于5%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的