[实用新型]一种射频同轴匹配负载

说明书

本实用新型公开了一种射频同轴匹配负载，包括第二导体和设于第二导体上的片式电阻件，所述的第二导体端部设置有凹槽，所述的片式电阻件的两个表面上均设有电阻电路，所述的第二导体通过凹槽插接在片式电阻件上，并与两个电阻电路接通。本实用新型的射频同轴匹配负载中的片式电阻件采用双面电阻电路形式，与该片式电阻件连接的第二导体端部设置凹槽，使得第二导体同时接通有片式电阻件双侧的电阻电路，这样产品在同等体积下功率得到提升；另外，由于第二导体与片式电阻件是双面接触，相对于传统的单面接触，本实用新型的结构可以增加焊接接触面积，提高连接强度。

技术领域

本实用新型属于射频领域，具体涉及一种双面焊接的高可靠射频同轴匹配负载。

背景技术

现有的高可靠射频同轴匹配负载，随着整机的高可靠及工作频率的高频率要求，将负载传统采用的柱状电阻由片式薄膜电阻替代。由于片式薄膜电阻与同轴端之间的连接，需要在片式电阻上焊接一个小插针与同轴端内导体尾部的插孔对插来实现。目前片式薄膜电阻采用单面电路形式，其与焊接小插针采用单面焊接的形式。由于片式薄膜电阻的基板材料为陶瓷，焊接小插针采用的金属材料，两者之间通过电阻上由薄膜工艺溅射在陶瓷基板上的镀金层焊盘与小插针焊接的方式进行连接，由于射频信号的频率较高且产品的体积大小有严格要求，因此焊盘的面积不能设计的过大，最常见的失效模式就是焊点脱落问题，造成负载功能无法保证。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型提供了一种射频同轴匹配负载，解决了现有的片式电阻与插针之间因焊接面积小易脱落从而导致负载失效的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案予以实现：

一种射频同轴匹配负载，包括第二导体和设于第二导体上的片式电阻件，所述的第二导体端部设置有凹槽，所述的片式电阻件的两个表面上均设有电阻电路，所述的第二导体通过凹槽插接在片式电阻件上，并与两个电阻电路接通。

本实用新型还具有如下区别技术特征：

该负载还包括第一导体、绝缘子、接地片、外壳、衬套、螺套和后盖；所述的第一导体连接在第二导体上；所述的绝缘子套设在第一导体上，所述的衬套套在片式电阻件上，所述的接地片设于衬套与片式电阻件之间；所述的外壳套接在绝缘子的外侧面和衬套的外侧面上；所述的螺套套接在外壳的一端，所述的后盖套接在外壳的另一端。

所述的螺套与外壳之间通过卡环固定。

所述的外壳与螺套之间设置有密封圈。

所述的第一导体末端设有插孔，所述的第二导体插接在插孔中。

所述的第二导体与第一导体的连接端设置有锥形面。

所述的片式电阻件的表面设有电阻电路、第一镀金层导带和第二镀金层导带，所述的电阻电路夹设在两条第一镀金层导带之间；所述的第二镀金层导带也夹设在两条第一镀金层导带之间，但与第一镀金层导带之间存在间隙。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型的射频同轴匹配负载中的片式电阻件采用双面电阻电路形式，与该片式电阻件连接的第二导体端部设置凹槽，使得第二导体同时接通有片式电阻件双侧的电阻电路，由于电阻部位的面积增大一倍，这样产品在同等体积下功率可以调高约1倍左右；另外，由于第二导体与片式电阻件是双面接触，相对于传统的单面接触，本实用新型的结构可以增加焊接接触面积，提高连接强度。

本实用新型的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

图1是本实用新型的第二导体与片式电阻件连接结构示意图；

图2是第二导体的结构示意图；

图3是片式电阻件的结构示意图；