[实用新型]用于系统级封装的防静电装置有效
| 申请号： | 201721778943.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN208385403U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 江苏天康电子合成材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防静电装置 绝缘层 封装 集成电路系统 本实用新型 抗静电能力 系统级封装 三极管 形成系统 隔离区 互连线 衬底 凸点 | ||
1.一种用于系统级封装的防静电装置，其特征在于，包括：Si衬底(101)、TSV区(102)、隔离区(103)、三极管(104)、互连线(105)、第一绝缘层(106)、第二绝缘层(107)和铜凸点(108)：其中，
所述TSV区(102)、所述隔离区(103)及所述三极管(104)均设置于所述Si衬底(101)内；所述TSV区(102)设置于所述三极管(104)两侧；所述隔离区(103)设置于所述三极管(104)与所述TSV区(102)之间，用于在所述Si衬底(101)内对所述三极管(104)进行隔离；所述TSV区(102)内的材料为铜；
所述第一绝缘层(106)和所述第二绝缘层(107)分别设置于所述Si衬底(101)上表面和下表面；所述互连线(105)设置于所述第一绝缘层(106)内，用于连接所述TSV区(102)的第一端面和所述三极管(104)；
所述铜凸点(108)设置于所述TSV区(102)的第二端面上。
2.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述三极管(104)包括：器件沟槽(1041)、三极管的埋层(1042)、三极管的集电极接触区(1043)、三极管的基区接触区(1044)和三极管的发射区(1045)；其中，所述三极管的埋层(1042)位于所述器件沟槽(1041)下端；所述三极管的集电极接触区(1043)、所述三极管的基区接触区(1044)和所述三极管的发射区(1045)位于所述器件沟槽(1041)内。
3.根据权利要求2所述的防静电装置，其特征在于，所述TSV区(102)包括第一TSV区和第二TSV区，所述互连线(105)包括第一互连线和第二互连线；所述第一TSV区的第一端面与所述三极管的基区接触区(1044)和所述三极管的发射区(1045)通过所述第一互连线连接；所述第二TSV区的第一端面与所述三极管的集电极接触区(1043)通过所述第二互连线连接。
4.根据权利要求3所述的防静电装置，其特征在于，所述三极管的基区接触区(1044)和所述三极管的发射区(1045)与所述第一互连线之间设置有钨插塞；所述三极管的集电极接触区(1043)与所述第二互连线之间均设置有钨插塞。
5.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述TSV区(102)和所述隔离区(103)上下贯通所述Si衬底(101)。
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