[实用新型]微机电器件结构有效
| 申请号： | 201721782044.X | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN207760035U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 冯栋 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微机电器件 硅片层 刻蚀 导热性 本实用新型 翘曲度 热氧层 释放 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种微机电器件结构，其特征在于，包括刻蚀形成的第一硅片层与第二硅片层，在所述第一硅片层和第二硅片层之间还设置有热氧层，所述微机电器件结构的厚度为180至200μm。
2.如权利要求1所述的微机电器件结构，其特征在于，所述第一硅片层的厚度为50至90μm。
3.如权利要求1或2所述的微机电器件结构，其特征在于，所述第二硅片层的厚度为90至130μm。
4.如权利要求1所述的微机电器件结构，其特征在于，所述热氧层的厚度为20至60μm。
5.如权利要求1所述的微机电器件结构，其特征在于，所述热氧层包括形成在所述第一硅片层顶面的第一热氧层以及形成在所述第二硅片下表面的第二热氧层。
6.如权利要求5所述的微机电器件结构，其特征在于，所述第二热氧层键合贴合在所述第一热氧层上。
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