[实用新型]微机电器件结构

说明书

本实用新型涉及一种微机电器件结构，包括刻蚀形成的第一硅片层与第二硅片层，在所述第一硅片层和第二硅片层之间还设置有热氧层，所述微机电器件结构的厚度为180至200μm。该微机电器件结构在厚度为180至200μm的同时具有良好的导热性和翘曲度，有利于实现后续的深硅刻蚀以及释放等工艺，有较大的应用前景。

技术领域

本实用新型涉及一种微机电器件结构，属于MEMS器件领域。

背景技术

微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。主要由传感器、动作器和微能源三大部分组成。微机电系统涉及物理学、半导体、光学、电子工程、化学、材料工程、机械工程、医学、信息工程及生物工程等多种学科和工程技术，为智能系统、消费电子、可穿戴设备、智能家居、系统生物技术的合成生物学与微流控技术等领域开拓了广阔的用途。常见的产品包括MEMS加速度计、MEMS麦克风、微马达、微泵、微振子、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器等以及它们的集成产品。

MEMS产品经常涉及到薄片工艺，有时可能需要厚度小于200μm的硅片。但硅片太薄会产生较大的翘曲，无法进行后续工艺和流通。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种微机电器件结构，该微机电器件结构导热性较好，硅片翘曲能很好的控制，有利于实现后续的深硅刻蚀以及释放等工艺。

为达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种微机电器件结构，包括刻蚀形成的第一硅片层与第二硅片层，在所述第一硅片层和第二硅片层之间还设置有热氧层，所述微机电器件结构的厚度为180至200μm。

进一步地，所述第一硅片层的厚度为50至90μm。

进一步地，所述第二硅片层的厚度为90至130μm。

进一步地，所述热氧层的厚度为20至60μm。

进一步地，所述热氧层包括形成在所述第一硅片层顶面的第一热氧层以及形成在所述第二硅片下表面的第二热氧层。

进一步地，所述第二热氧层通过键合方式贴合在所述第一热氧层上。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型的微机电器件结构在厚度小于200μm的同时具有良好的导热性和翘曲度，有利于实现后续的深硅刻蚀以及释放等工艺，有较大的应用前景。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1为本实用新型所示的微机电器件结构的结构示意图；

图2a至图2g为制备本实用新型实施例一所示的微机电器件结构的步骤示意图；

图3a至图3g为制备本实用新型实施例二所示的微机电器件结构的步骤示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。