[实用新型]基于GaN材料的RGBY四色LED有效
| 申请号： | 201721789675.4 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN208385438U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/50 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 四色 本实用新型 红色发光材料 黄色发光材料 蓝色发光材料 绿色发光材料 单一芯片 发光材料 发光效率 制备工艺 原色LED 集成度 电极 隔离层 键合层 体积小 下电极 制备 芯片 制作 | ||
1.一种基于GaN材料的RGBY四色LED，其特征在于，包括：蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、隔离层、键合层、上电极及下电极；其中，
所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料均通过所述隔离层彼此绝缘；
所述键合层设置于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料下方，且所述下电极设置于所述键合层下方，所述上电极位于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料上方,所述蓝色发光材料包括第一InGaN/GaN多量子阱层，所述第一InGaN/GaN多量子阱层包括相互层叠设置的第一GaN量子阱层和第一InGaN量子阱层；其中，层叠周期为8～30，所述第一GaN量子阱层的厚度为5-10nm，所述第一InGaN量子阱层的厚度为1.5-3.5nm；
所述红色发光材料包括GalnP/A1GaInP多量子阱层，所述GalnP/A1GaInP多量子阱层包括相互层叠设置的GalnP量子阱层和A1GaInP量子阱层，其中，所述GalnP量子阱层的厚度为2-10nm，所述A1GaInP量子阱层厚度为5-10nm；
所述绿色发光材料包括第二InGaN/GaN多量子阱层，所述第二InGaN/GaN多量子阱层包括相互层叠设置的第二GaN量子阱层和第二InGaN量子阱层，其中，所述第二GaN量子阱层的厚度为5-10nm，所述第二InGaN量子阱层的厚度为1.5-3.5nm。
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